处理中...

首页  >  产品百科  >  NCE70H17-VB

NCE70H17-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,210A,RDS(ON),3mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要中高功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其适中尺寸的封装和中高功率特性使其适用于需要高密度布局和中高功率输出的电子设备和系统。
供应商型号: NCE70H17-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE70H17-VB

NCE70H17-VB概述

    NCE70H17 N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE70H17 是一款由 VBsemi 生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Power MOSFET),具有以下特点:
    - 额定电压:60V
    - 最大连续漏极电流:210A
    - 配置:单个封装
    - 主要功能:用于电力电子设备,广泛应用于电机驱动、电源转换、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NCE70H17 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 3.5 | V |
    | 漏源导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | - | 0.003 | - | Ω |
    | 漏源导通电阻 (VGS=4.5V) | RDS(on) | - | 0.009 | - | Ω |
    | 漏极连续电流 (VGS=10V) | ID | - | - | 210 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 75 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 281 | mJ |
    | 最大功率损耗 | PD | - | - | 375 | W |
    | 工作结温范围 | TJ, Tstg | -55 | - | +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    NCE70H17 有几个显著的特点和优势:
    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 定义。
    - 低热阻封装:适用于高功率应用。
    - 100% 测试:保证所有产品的 Rg 和 UIS 参数均经过测试。
    - 符合 RoHS 规范:满足欧盟环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    NCE70H17 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 电机驱动系统:用于控制和驱动电机。
    - 电源转换器:提供高效的电能转换能力。
    - 汽车电子:适用于各种车载控制系统。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,确保散热系统有效工作,以避免热累积。
    - 根据具体需求选择合适的门限电压和漏源导通电阻值。

    5. 兼容性和支持


    NCE70H17 采用 TO-220AB 封装,适用于大多数标准 PCB 设计。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,客户可以通过其服务热线 400-655-8788 获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题:无法正常启动。
    - 解决方案:检查门极电阻是否正确设置。
    - 问题:过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计。
    - 问题:门极驱动信号不稳定。
    - 解决方案:检查门极信号线是否有干扰,必要时使用屏蔽线。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE70H17 以其出色的性能和广泛的适用性,在多个电力电子应用领域表现出色。尤其适合需要高效转换电能的应用场合。因此,我们强烈推荐在相关项目中使用 NCE70H17。

NCE70H17-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 210A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE70H17-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE70H17-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE70H17-VB NCE70H17-VB数据手册

NCE70H17-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504