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4855NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 4855NG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4855NG-VB

4855NG-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能功率MOSFET,适用于多种电源管理应用。这类器件具备低导通电阻、高电流承载能力和优秀的热性能,适合用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等场景。

    2. 技术参数


    以下是关键的技术规格:
    - 最大耐压:30V (VDS)
    - 连续漏极电流:
    - TJ = 25 °C 时为 100A
    - TJ = 175 °C 时为 90A
    - 导通电阻:
    - VGS = 10V 时为 0.002 Ω
    - VGS = 4.5V 时为 0.00 Ω
    - 总栅极电荷:
    - VDS = 15V,VGS = 10V,ID = 38.8A 时为 151 nC
    - VDS = 15V,VGS = 4.5V,ID = 28.8A 时为 71.5 nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:
    - 最大结壳热阻 RthJC 为 0.5 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提高开关速度和降低导通损耗。
    - 全面测试:确保每个产品都通过Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准:环保且无害健康。

    4. 应用案例和使用建议


    这种MOSFET非常适合用于需要高效能电力转换的应用场合。例如,在服务器系统中作为关键的电力管理组件,可以显著提高效率并减少能源浪费。使用时需要注意:
    - 确保电路布局合理,以避免过高的寄生电感。
    - 在高温环境下使用时,适当考虑散热措施以防止过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    这款MOSFET通常可与市场上常见的电源管理系统和组件兼容。VBsemi公司提供了详尽的文档和技术支持,以帮助客户解决安装和调试过程中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏极电流导致器件过热。
    - 解决方案:适当增加散热片面积,或降低负载电流。

    - 问题:频繁的开关操作导致器件性能下降。
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动电阻,减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的电气性能和可靠的设计,成为了高性能电力管理的理想选择。对于追求高效、稳定电力解决方案的应用,我们强烈推荐使用这款产品。

4855NG-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4855NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4855NG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4855NG-VB 4855NG-VB数据手册

4855NG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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