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NCE40P06S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP-8
供应商型号: NCE40P06S-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE40P06S-VB

NCE40P06S-VB概述


    产品简介


    NCE40P06S是一款P沟道60V(D-S)功率MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术。它具有优异的开关特性和低导通电阻,适用于多种高效率的应用场合,如电机驱动、电源转换器和汽车电子系统等。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | -60 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.050 (VGS = -10 V) | Ω |
    | 0.060 (VGS = -4.5 V)
    | 连续漏极电流(ID) | -8 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | -32 | A |
    | 最大功耗(PD) | 5 (TC = 25 °C) | W |
    | 1.67 (TC = 125 °C)
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 至 +175 | °C |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:提供低导通电阻和高效能。
    2. 100% Rg和UIS测试:确保可靠性和耐用性。
    3. 宽工作温度范围:适合极端环境下的应用。
    4. 低导通电阻:降低功耗,提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCE40P06S广泛应用于电机驱动器、电源转换器和汽车电子系统。例如,在电动汽车的逆变器中,它可以有效地控制电流,提升整体能效。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,建议通过散热片或其他散热措施进行热管理,以确保长时间稳定运行。
    - 在选择外部电路元件时,要特别注意它们的耐压能力和与MOSFET的兼容性,以避免过压损坏。

    兼容性和支持


    NCE40P06S与标准的SO-8封装兼容,易于安装和替换。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致MOSFET失效 | 加装散热片,改善热管理 |
    | 高频工作下开关损耗大 | 优化驱动电路,减小寄生电容 |
    | MOSFET在高电压下击穿 | 确保外部电路元件的耐压能力足够高 |

    总结和推荐


    NCE40P06S凭借其高效的开关性能、低导通电阻和宽工作温度范围,是高性能电机驱动器和电源转换器的理想选择。尽管价格略高于普通MOSFET,但由于其卓越的性能和可靠性,非常值得推荐使用。对于需要高效能、高稳定性的应用场景,NCE40P06S是一个绝佳的选择。

NCE40P06S-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,61mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE40P06S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE40P06S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE40P06S-VB NCE40P06S-VB数据手册

NCE40P06S-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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