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PHX1N40E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: PHX1N40E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX1N40E-VB

PHX1N40E-VB概述

    PHX1N40E N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PHX1N40E 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于高电压转换和高效电力传输的应用场合。这款器件在开关电源、逆变器、电机驱动等领域有着广泛的应用。其主要特点是低栅极电荷(Qg)、出色的耐用性和充分的参数测试,符合RoHS指令2002/95/EC。

    2. 技术参数


    - 关键参数
    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 持续漏极电流(TC = 25°C): 1.28A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 165mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C): 25W
    - 热阻(最大结到外壳): 2.1°C/W
    - 最大结温(TJ): 150°C
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS): 650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 零栅压漏极电流(IDSS): ≤ 25μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 4.0Ω(VGS = 10V)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss): 1000pF
    - 输出电容(Coss): 45pF
    - 反向传输电容(Crss): 5pF
    - 总栅极电荷(Qg): ≤ 11nC
    - 转换增益(gfs): 3.9S(VDS = 50V)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着简单的驱动需求,降低了功耗。
    - 耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,提升了可靠性。
    - 充分测试:完全字符化的电容和雪崩电压电流,确保了产品质量。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 开关电源
    - 逆变器
    - 电机驱动
    - 使用建议
    - 在高频开关应用中,考虑到输出电容和反向传输电容的影响,需要优化电路布局,减少杂散电感。
    - 在高电压应用中,确保散热系统的设计,以防止超过最大结温。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PHX1N40E 可以与其他标准TO-220封装的器件互换,但需要注意电气特性的匹配。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过大
    - 解决方案: 检查并调整栅极电压至合适的阈值范围内。
    - 问题2: 开关损耗高
    - 解决方案: 优化驱动电路设计,降低栅极电荷。

    7. 总结和推荐


    PHX1N40E N-Channel 650V MOSFET凭借其低栅极电荷、高耐久性和良好的电气性能,使其成为众多高电压电力转换应用的理想选择。对于需要高效能和可靠性的用户,强烈推荐此款产品。建议在具体应用前进行详细的电气特性验证,并与制造商的技术支持团队保持沟通,以确保最佳的使用效果。

PHX1N40E-VB参数

参数 值
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

PHX1N40E-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

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PHX1N40E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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