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PHX1N40E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: PHX1N40E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHX1N40E-VB

PHX1N40E-VB概述

    PHX1N40E N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PHX1N40E 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于高电压转换和高效电力传输的应用场合。这款器件在开关电源、逆变器、电机驱动等领域有着广泛的应用。其主要特点是低栅极电荷(Qg)、出色的耐用性和充分的参数测试,符合RoHS指令2002/95/EC。

    2. 技术参数


    - 关键参数
    - 漏源电压(VDS): 650V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 持续漏极电流(TC = 25°C): 1.28A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 165mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C): 25W
    - 热阻(最大结到外壳): 2.1°C/W
    - 最大结温(TJ): 150°C
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS): 650V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 零栅压漏极电流(IDSS): ≤ 25μA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 4.0Ω(VGS = 10V)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss): 1000pF
    - 输出电容(Coss): 45pF
    - 反向传输电容(Crss): 5pF
    - 总栅极电荷(Qg): ≤ 11nC
    - 转换增益(gfs): 3.9S(VDS = 50V)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着简单的驱动需求,降低了功耗。
    - 耐用性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性,提升了可靠性。
    - 充分测试:完全字符化的电容和雪崩电压电流,确保了产品质量。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 开关电源
    - 逆变器
    - 电机驱动
    - 使用建议
    - 在高频开关应用中,考虑到输出电容和反向传输电容的影响,需要优化电路布局,减少杂散电感。
    - 在高电压应用中,确保散热系统的设计,以防止超过最大结温。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:PHX1N40E 可以与其他标准TO-220封装的器件互换,但需要注意电气特性的匹配。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括安装指南和常见问题解答。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过大
    - 解决方案: 检查并调整栅极电压至合适的阈值范围内。
    - 问题2: 开关损耗高
    - 解决方案: 优化驱动电路设计,降低栅极电荷。

    7. 总结和推荐


    PHX1N40E N-Channel 650V MOSFET凭借其低栅极电荷、高耐久性和良好的电气性能,使其成为众多高电压电力转换应用的理想选择。对于需要高效能和可靠性的用户,强烈推荐此款产品。建议在具体应用前进行详细的电气特性验证,并与制造商的技术支持团队保持沟通,以确保最佳的使用效果。

PHX1N40E-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHX1N40E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHX1N40E-VB数据手册

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PHX1N40E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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