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FQD5N40-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FQD5N40-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQD5N40-VB

FQD5N40-VB概述

    FQD5N40 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    FQD5N40 是一款 N-通道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压和高电流应用场合。
    主要功能:
    - 低门极电荷(Qg)简化驱动要求。
    - 改进的门极耐受性、雪崩耐受性和动态 dv/dt 耐用性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压及电流。
    应用领域:
    广泛应用于电源转换、逆变器、电动工具和电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 门极漏电 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 15 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 320 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 75 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 动态dv/dt | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 最高工作温度 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:低门极电荷简化了驱动要求,降低了驱动功耗。
    - 高可靠性:具备出色的门极耐受性、雪崩耐受性和动态 dv/dt 耐用性。
    - 完全标定:提供完全标定的电容和雪崩电压及电流,确保精确度和稳定性。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    FQD5N40 在多个应用场景中表现出色,包括电源转换、逆变器、电动工具和电机驱动。
    使用建议:
    - 确保散热系统设计合理,避免过热导致的失效。
    - 在脉冲电流和脉冲持续时间方面要严格控制,防止超出绝对最大额定值。
    - 为实现最佳性能,需要确保驱动电路的输入和输出阻抗匹配。

    5. 兼容性和支持


    FQD5N40 与标准的 TO-220AB、TO-252 和 TO-251 封装兼容。厂商提供了详细的技术支持文档,并可通过服务热线(400-655-8788)获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过热导致的失效。
    2. 驱动信号不稳定。
    3. 脉冲宽度不当。
    解决方案:
    1. 使用合适的散热措施。
    2. 确保驱动电路稳定且可靠。
    3. 遵守绝对最大额定值,合理设置脉冲宽度和占空比。

    7. 总结和推荐


    FQD5N40 是一款高性能、高可靠性的 N-通道 MOSFET,适用于多种高压高电流应用。其低门极电荷、高可靠性和完全标定的特性使其在市场上具有较强的竞争力。经过综合评估,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用 FQD5N40。
    希望这份技术手册能够帮助您更好地了解和使用 FQD5N40。如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们。

FQD5N40-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQD5N40-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQD5N40-VB数据手册

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FQD5N40-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
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