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FU1N60A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: FU1N60A-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FU1N60A-VB

FU1N60A-VB概述

    FU1N60A MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FU1N60A 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于各种电源转换、电机驱动和工业控制等领域。它具备低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),能够在高温环境下稳定工作,满足多种应用需求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 4.0 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 417 | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 45 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | - | 5 | pF |
    | 峰值开关损耗 | PD | - | 45 | W |
    | 最高结温 | TJ | -55 | +150 | °C |
    | 热阻 | RthJA | - | - | 65 | °C/W |
    | 脉冲耐压 | EAS | - | 165 | mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低 Qg 值简化了驱动要求。
    - 高可靠性:具有优异的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受能力。
    - 全面的特性化:完全特性化,包括电容、雪崩电压和电流。
    - 符合环保标准:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,绿色无铅设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:利用其低 RDS(on),适用于高效开关电源转换。
    - 电机驱动:能够承受高电流和电压波动,适用于驱动电机系统。
    - 工业控制:在恶劣环境中稳定运行,适合工业自动化控制。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在使用过程中注意温度管理和散热设计。
    - 在应用时选择合适的驱动电路以保证其正常工作。

    5. 兼容性和支持


    FU1N60A MOSFET 与其他电子元件具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,客户可以通过电话热线(400-655-8788)获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热设计,使用散热片或风扇。 |
    | 开关损耗过大 | 优化驱动电路设计,降低栅极电荷。 |
    | 导通电阻过高 | 选择正确的驱动条件,确保 VGS 足够高。 |

    7. 总结和推荐


    FU1N60A MOSFET 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和优良的电气特性。适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和工业控制。强烈推荐使用,特别是对于需要高可靠性和高性能的应用场合。

FU1N60A-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FU1N60A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FU1N60A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FU1N60A-VB FU1N60A-VB数据手册

FU1N60A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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