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IRF7902TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.8/10A,RDS(ON),18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7902TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7902TRPBF-VB

IRF7902TRPBF-VB概述


    产品简介


    产品名称: IRF7902TRPBF
    产品类型: Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
    主要功能: 提供两个独立的N沟道增强型功率MOSFET和一个肖特基二极管,适用于笔记本电脑逻辑电源转换、低电流电源转换等领域。
    应用领域: 笔记本电脑逻辑dc-to-dc转换器、低电流dc-to-dc转换器等。

    技术参数


    额定电压 (VDS):
    - 通道1: 30 V
    - 通道2: 30 V
    连续漏极电流 (TC = 25 °C):
    - 通道1: 8.0 A
    - 通道2: 15.0 A
    最大脉冲漏极电流 (10 µs脉宽):
    - 通道1: 35 A
    - 通道2: 60 A
    导通电阻 (RDS(on)):
    - 通道1:
    - VGS = 10 V, ID = 8 A时为0.017 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 5 A时为0.021 Ω
    - 通道2:
    - VGS = 10 V, ID = 8 A时为0.009 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 5 A时为0.010 Ω
    总门极电荷 (Qg):
    - 通道1:
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 8 A时为29 nC (典型值)
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 8 A时为12.5 nC (典型值)
    - 通道2:
    - VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 8 A时为39 nC (典型值)
    - VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 8 A时为17 nC (典型值)
    绝对最大额定值:
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±16 V
    - 最大功耗 (TC = 25 °C):
    - 通道1: 1.98 W
    - 通道2: 4.16 W

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 通道1在VGS = 10 V时的导通电阻为0.017 Ω,通道2则更低,仅为0.009 Ω。这种低导通电阻可以显著降低功耗和提高效率。
    - 高连续漏极电流: 通道1可承受高达8.0 A的连续漏极电流,而通道2则更高,可达15.0 A,这使得产品适合于需要较高电流的应用。
    - 内置肖特基二极管: 内置肖特基二极管提供了更快的反向恢复时间和较低的电压降,提升了产品的整体性能。
    - 兼容性与可操作性: 通过设计和严格的测试确保符合RoHS标准和无卤素要求,产品可以广泛应用于各类电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑逻辑电源转换器
    - 低电流dc-to-dc转换器
    使用建议:
    - 散热管理: 由于最大功耗和电流较大,建议使用合适的散热措施以避免过热。
    - 栅极驱动电路设计: 针对高速开关需求,需精心设计栅极驱动电路以减小栅极电荷的影响,从而提高系统的整体效率。
    - 热阻抗: 建议在高温环境下使用产品时考虑热阻抗,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 产品与多种电源转换拓扑结构和应用场合高度兼容,能够与现有的设计无缝集成。
    - 支持与维护: 台湾VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用并优化其应用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 功率耗散过大 | 检查散热措施是否到位,增加散热片或使用散热风扇 |
    | 开关频率过高导致发热严重 | 调整电路设计,降低开关频率或使用更高效的驱动电路 |
    | 导通电阻不匹配 | 重新校准驱动电压,确保符合指定的工作条件 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 低导通电阻和高连续漏极电流使其在多种应用中表现优异。
    - 内置肖特基二极管提升了系统整体性能,特别适用于高速开关应用。
    - 严格测试和设计保证产品符合RoHS标准和无卤素要求,具有良好的环保性能。
    - 缺点:
    - 在极高电流下可能需要额外的散热措施。
    推荐:
    基于以上评估,IRF7902TRPBF是一款在笔记本电脑逻辑dc-to-dc转换器和低电流电源转换器中表现优秀的器件。尽管在极高电流下需要额外的散热措施,但在大多数应用场景中其优异的性能和可靠的设计使其成为值得推荐的产品。

IRF7902TRPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,21.6mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6.8A,10A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7902TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7902TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7902TRPBF-VB IRF7902TRPBF-VB数据手册

IRF7902TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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