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KD2304A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: KD2304A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2304A-VB

KD2304A-VB概述

    KD2304A N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KD2304A 是一款由VBsemi推出的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。该产品适用于直流/直流转换器等领域。其主要特点是使用了TrenchFET®技术,以提高开关速度和减少导通电阻,同时保证高效能的电性能。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大漏极连续电流 (\(T{J} = 150\ ^{\circ}C\)):
    - \(TC = 25\ ^{\circ}C\): 6.5 A
    - \(TC = 70\ ^{\circ}C\): 6.0 A
    - 最大脉冲漏极电流: 25 A
    - 最大耗散功率:
    - \(TC = 25\ ^{\circ}C\): 1.7 W
    - \(TC = 70\ ^{\circ}C\): 1.1 W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 30 V ( \(V{GS} = 0 V\), \(ID = 250 \mu A\) )
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 0.7 ~ 2.0 V
    - 导通状态电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\): 0.030 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\): 0.033 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 335 pF ( \(V{DS} = 15 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(f = 1 MHz\) )
    - 输出电容 \(C{oss}\): 45 pF
    - 门电荷 \(Qg\):
    - \(V{DS} = 15 V\), \(V{GS} = 10 V\): 4.5 ~ 6.7 nC
    - \(V{DS} = 15 V\), \(V{GS} = 4.5 V\): 2.1 ~ 3.2 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: 在不同栅源电压下,导通电阻低,有助于减少损耗。
    - 高可靠性: 遵守RoHS指令和无卤素标准,确保环保和长期可靠性。
    - 快速响应时间: 具备优秀的动态参数,适合高频开关应用。
    - TrenchFET®技术: 提升了开关性能,使器件更小、更高效。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: DC/DC转换器、电机驱动等电力系统。
    - 使用建议:
    - 建议在使用时,注意散热设计以避免温度过高。
    - 根据不同的应用场景选择合适的栅源电压和电流等级。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 可与多种电路板设计兼容,包括标准的SOT-23封装。
    - 支持和服务: 请联系VBsemi的客户服务热线400-655-8788,获取更多技术支持和文档资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用散热片或者风扇加强散热。
    - 问题: 开关频率过高导致性能下降
    - 解决方案: 优化电路设计,适当降低开关频率,确保每个周期内电流稳定。

    7. 总结和推荐


    综上所述,KD2304A是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适用于需要高效能和低功耗的应用场合。其出色的动态参数和可靠的性能使其成为众多电力电子应用的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要这些特性的工程师和设计师。
    以上内容是对KD2304A N-Channel 30-V MOSFET技术手册的技术解读和总结,希望对您的设计工作有所帮助。

KD2304A-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
配置 -
Id-连续漏极电流 6.5A
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2304A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2304A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2304A-VB KD2304A-VB数据手册

KD2304A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
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