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RZR025P01TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: RZR025P01TL-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RZR025P01TL-VB

RZR025P01TL-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
    产品类型:此产品为P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于高效率功率器件之一。
    主要功能:此MOSFET采用了TrenchFET®技术,能够显著提高功率处理能力。它特别适用于移动计算领域,包括负载开关、笔记本适配器开关及DC/DC转换器等应用。
    应用领域:适用于笔记本电脑电源管理、手机充电电路及其他需要高效率电能转换的场合。

    技术参数


    - 电压规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 电流规格:
    - 持续漏极电流 (TJ = 150 °C):25 °C时为5.6 A,70 °C时为5.1 A
    - 脉冲漏极电流:18 A
    - 连续源漏二极管电流:25 °C时为2.1 A
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻:75 °C/W (最大值)
    - 最大结到引脚稳态热阻:40 °C/W (最大值)
    - 其他特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS):最小值30 V
    - 门限电压 (VGS(th)):典型值-0.5 V 至-2.0 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):典型值-1 µA,当温度为55 °C时为-5 µA

    产品特点和优势


    1. 高效率:采用TrenchFET®技术,降低导通电阻,减少损耗。
    2. 快速响应:具有较短的开关时间,加快电路响应速度。
    3. 耐高温:可承受高达150 °C的工作温度,适合恶劣环境应用。
    4. 紧凑封装:采用小型化封装设计(SOT-23),节省PCB空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑适配器开关:此MOSFET可以在适配器内部提供高效的能量传输,减少发热。
    - DC/DC转换器:用于笔记本等移动设备中,确保稳定可靠的电力供应。
    使用建议:
    - 在使用时要注意环境温度,特别是在高温环境下可能需要额外的散热措施以保持最佳性能。
    - 注意漏极和源极之间的最大电流限制,防止过载损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多数现有的电路板设计,特别是那些使用标准SOT-23封装的产品。
    - 支持:制造商提供了详细的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热片或外部风扇,加强散热措施。

    - 问题2:切换时出现过压现象。
    - 解决方案:检查电路中的电容值和负载情况,确保正确选择合适的外围元件。

    总结和推荐


    总体而言,这款P-Channel 30 V MOSFET凭借其高效率、快速响应能力和广泛的温度适应性,在移动计算领域的多种应用场景中表现出色。其紧凑的封装和易于集成的特点也使其成为一款理想的电源管理解决方案。鉴于这些优点,强烈推荐在相关项目中使用此产品。

RZR025P01TL-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5.6A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RZR025P01TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RZR025P01TL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RZR025P01TL-VB RZR025P01TL-VB数据手册

RZR025P01TL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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型号 价格(含增值税)
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