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KF2N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: KF2N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF2N60F-VB

KF2N60F-VB概述

    KF2N60F N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KF2N60F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压应用设计。它的主要功能包括低栅极电荷(Qg)、增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力,以及全面的电容和雪崩电压电流特性。此产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的要求,适用于各种高压应用场合,如电源转换、电机控制和逆变器系统。

    2. 技术参数


    KF2N60F 的关键技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.0Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg):11nC
    - 输入电容(Ciss):1000pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容(Coss):45pF
    - 反向转移电容(Crss):5pF
    - 雪崩能量(EAS):165mJ
    - 最大功率耗散(PD):25W (TC = 25°C)
    - 结温范围:-55°C 至 +150°C
    - 焊接温度推荐值:300°C (峰值,10秒)

    3. 产品特点和优势


    KF2N60F 以其低栅极电荷(Qg)和简单的驱动要求而著称。此外,它具有出色的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐压能力,这意味着它能够在严苛的工作环境中稳定运行。KF2N60F 还具备完全表征的电容和雪崩电压及电流特性,这使其非常适合需要高可靠性的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    KF2N60F 广泛应用于各种高压应用中,如开关电源、马达驱动和逆变器系统。在设计电源转换电路时,建议将 KF2N60F 配合适当的驱动电路使用,以确保最佳性能和可靠性。例如,在使用 KF2N60F 的驱动电路设计中,应考虑降低寄生电感和采用接地平面,以减少电磁干扰(EMI)。

    5. 兼容性和支持


    KF2N60F 是一款高度兼容的产品,可以与多种电子设备和组件配合使用。厂商提供详细的文档和技术支持,包括热阻参数和典型特性图,以帮助用户更好地理解和应用该产品。此外,厂商还提供了焊接温度和安装扭矩的推荐值,以确保产品在装配过程中的稳定性和可靠性。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案部分,以下是几个用户可能会遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:栅极泄漏电流过大
    - 解决方法:检查栅极驱动电路是否正确连接,必要时增加栅极电阻。
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方法:确保 MOSFET 的工作温度在推荐范围内,检查是否超过最大结温。
    - 问题:雪崩电压过高
    - 解决方法:确保应用中的雪崩电压不超过器件的最大额定值,并使用适当的散热措施。

    7. 总结和推荐


    综上所述,KF2N60F 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备低栅极电荷、高耐压能力和全面的电气特性。这些特点使得 KF2N60F 在高压应用中表现出色,特别是在需要高可靠性和稳定性的场合。因此,我强烈推荐 KF2N60F 用于需要高压和高可靠性的电子系统设计。对于需要进一步技术支持的用户,可以联系厂商获取更多资料和支持。

KF2N60F-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF2N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF2N60F-VB数据手册

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KF2N60F-VB封装设计

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