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4506GEM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4506GEM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4506GEM-VB

4506GEM-VB概述


    产品简介


    N-Channel 和 P-Channel 30V MOSFET 技术手册
    产品类型: N-Channel 和 P-Channel 30V MOSFET
    主要功能:
    - 提供高效功率转换能力
    - 高集成度和小封装设计
    - 适用于多种电子应用领域
    应用领域:
    - 电机驱动
    - 移动电源管理

    技术参数


    N-Channel
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25 °C: 8 A
    - TA = 70 °C: 6.8 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 40 A
    - 漏极-源极电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 6.8 A: 0.018 Ω
    - VGS = 4.5 V, ID = 6.6 A: 0.024 Ω
    - 门电荷 (Qg):
    - VDS = 20 V, VGS = 10 V: 6 nC
    - VDS = 20 V, VGS = 4.5 V: 5.8 nC
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C: 3.1 W
    - TA = 70 °C: 2 W
    P-Channel
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25 °C: 8 A
    - TA = 70 °C: 6.6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 40 A
    - 漏极-源极电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V, ID = -8 A: 0.040 Ω
    - VGS = -4.5 V, ID = -5 A: 0.050 Ω
    - 门电荷 (Qg):
    - VDS = -20 V, VGS = -10 V: 41.5 nC
    - VDS = -20 V, VGS = -4.5 V: 16 nC
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C: 3.2 W
    - TA = 70 °C: 2.1 W

    产品特点和优势


    - 高效率: 具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而提高电路效率。
    - 可靠性高: 通过严格的测试标准,确保产品长期稳定可靠。
    - 温度适应性强: 在-55°C到150°C的宽温度范围内均能正常工作。
    - 低噪声: 减少干扰,提供更清洁的信号。
    - 高集成度: 封装小,适合现代紧凑型电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电机驱动: 在电机控制系统中作为开关器件使用,可实现高效能量转换。
    - 移动电源管理: 用于移动电源中的电源管理电路,以提供更长的电池寿命和更高效的充电。
    使用建议:
    - 确保在适当的电压和电流范围内使用,以避免器件过载。
    - 考虑散热需求,在高功率应用中需要额外的散热措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品采用SO-8封装,适用于各种常见的PCB布局,易于与其他电子元器件集成。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    问题1: 设备在高电流下工作时过热。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或者散热器,确保良好的散热效果。
    问题2: 电路性能不稳定。
    - 解决方案: 检查电路设计和布线,确保符合器件的电气特性和工作条件。

    总结和推荐


    该产品具有出色的性能和高可靠性,适用于多种应用场合。特别是在电机驱动和移动电源管理领域表现出色。推荐给寻求高效能、高可靠性的工程师和制造商。

4506GEM-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A,6A
配置 -
通道数量 -
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4506GEM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4506GEM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4506GEM-VB 4506GEM-VB数据手册

4506GEM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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