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K4101-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K4101-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4101-VB

K4101-VB概述

    K4101-VB MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K4101-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于服务器、电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)以及照明等领域。此型号特别适用于高密度电力传输和转换场景,提供低导通电阻和高效率的解决方案。

    2. 技术参数


    以下是 K4101-VB 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±30 | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C) | 25 | A |
    | 内部雪崩能量(EAS) | 97 | mJ |
    | 导通电阻(RDS(on),VGS=10V,ID=4A) | - | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | - | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | pF |
    | 反向转移电容(Crss) | - | pF |
    | 有效输出电容(时间相关) | - | pF |
    | 总栅电荷(Qg,VGS=10V,ID=4A,VDS=520V) | - | nC |
    | 门极电荷(Qgs) | - | nC |
    | 门极电荷(Qgd) | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:具备低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),降低了开关和传导损耗。
    - 高效能:输入电容(Ciss)低,使得门极驱动更容易。
    - 高可靠性:具有高重复性和高可靠性的雪崩能量额定值。
    - 宽工作范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作。

    4. 应用案例和使用建议


    K4101-VB 广泛应用于服务器电源、电信电源、工业电力系统和高亮度放电(HID)灯的照明系统中。对于需要高效率和紧凑设计的应用,K4101-VB 是理想选择。例如,在高密度服务器电源系统中,K4101-VB 的低导通电阻可以显著提高系统的整体效率并减少热耗散。此外,在快速切换应用场景中,低栅极电荷确保了更快的开关速度和更小的功耗。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,注意确保散热设计符合规范以避免过热。
    - 高电流应用中应确保 PCB 设计合理,以降低寄生电感并提升稳定性。

    5. 兼容性和支持


    K4101-VB 采用 TO-220 Fullpak 封装形式,可以与其他大多数标准 MOSFET 兼容。供应商提供了详尽的技术支持和客户服务热线(400-655-8788),确保用户能够及时获取帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间运行后发热严重。
    - 解决方案:检查电路板布局是否合理,确保良好的散热设计,并适当增加散热片或风扇。

    - 问题2:门极电压不稳定。
    - 解决方案:确认门极驱动电路设计正确,并且使用的电容器和电感器规格符合要求。

    7. 总结和推荐


    总体来说,K4101-VB 是一款非常可靠的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合于高效率电力转换系统。凭借其卓越的性能指标和广泛的应用范围,K4101-VB 值得推荐用于多种需要高功率密度和高效率的应用场合。

K4101-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4101-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4101-VB数据手册

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K4101-VB封装设计

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