处理中...

首页  >  产品百科  >  K4086-VB

K4086-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K4086-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4086-VB

K4086-VB概述

    # K4086-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4086-VB 是一款 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高能效电源管理领域。该产品以其低导通电阻和超低栅极电荷的特点,在服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明等领域表现出色。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS): 最大值 650V (TJ max.)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10V 下,漏电流 ID = 8A 时为典型值
    - 栅源电荷 (Qg): 最大值 43nC
    - 门极输入电容 (Ciss): 通常为 pF 级别
    - 有效输出电容 (Co(tr)): 213 pF
    - 阈值电压 (VGS(th)): 3V 至 5V
    - 零门极电压漏电流 (IDSS): 最大值 1μA (VDS = 650V)
    动态参数
    - 转换电导 (gfs): 最大值 16 S (VDS = 30V)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 13ns 至 25ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 81ns 至 90ns
    - 下降时间 (tf): 25ns 至 40ns
    - 反向恢复时间 (trr): 345ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 4.5 μC
    - 反向恢复峰值电流 (IRRm): 35A
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): TC = 25°C 时为 12A,TC = 100°C 时为 9.4A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.6mm 时为 mJ 级别
    热阻参数
    - 结至环境热阻 (RthJA): 最大值 60°C/W
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 最大值 0.8°C/W

    产品特点和优势


    - 低阻力积 (Ron x Qg): 降低总损耗,提高能效。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少开关损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg): 改善动态性能,减小驱动功率需求。
    - 雪崩耐受能力: 提升耐用性和可靠性。
    - 单片配置: 易于集成到各种电路设计中。

    应用案例和使用建议


    K4086-VB MOSFET 主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及 HID 和荧光灯照明系统。这些应用要求器件具备高可靠性及高效能。为了获得最佳性能,建议用户严格按照应用要求选择合适的驱动条件和冷却方案,以确保稳定运行。

    兼容性和支持


    - 该产品与常见的电路布局兼容,可方便地用于各类工业和消费电子产品中。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和样品支持。如有任何疑问,可通过厂商的热线服务进行咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致过热。
    - 解决方案: 增加散热片面积,优化电路布局,减少寄生电感。
    - 问题: 寿命短,频繁损坏。
    - 解决方案: 检查驱动条件是否满足,适当降低工作温度,改善散热措施。

    总结和推荐


    综上所述,K4086-VB N-Channel 650V Power MOSFET 在低导通电阻、超低栅极电荷、高可靠性等方面表现卓越,是适用于多种应用的理想选择。推荐在需要高能效且紧凑设计的应用中使用该产品。

K4086-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 12A
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4086-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4086-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4086-VB K4086-VB数据手册

K4086-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504