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NTR4503NT3G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: NTR4503NT3G-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTR4503NT3G-VB

NTR4503NT3G-VB概述

    NTR4503NT3G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTR4503NT3G 是一款N沟道30-V(D-S)MOSFET,属于高可靠性功率MOSFET系列。此款MOSFET广泛应用于直流转换器等领域,是一款适用于各种复杂电路设计的理想选择。

    技术参数


    NTR4503NT3G的关键技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 30 V |
    | 门限电压(VGS(th)) | 0.7 | 2.0 V |
    | 门限电压温度系数(ΔVGS(th)/TJ) -5 mV/°C |
    | 门源漏电流(IDSS) | 1 | 10 µA |
    | 开启状态漏源电阻(RDS(on)) 0.030 | 0.033 | Ω |
    | 连续漏极电流(ID) | 5.3 | 6.5 A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) 25 A |
    | 最大功耗(PD) | 1.1 W |
    | 热阻抗RthJA | 90 | 115 °C/W |

    产品特点和优势


    - 无卤材料:符合IEC 61249-2-21定义,满足环保要求。
    - 100% Rg测试:确保每个产品都经过严格的电阻测试,保证性能稳定。
    - 高可靠性:所有特性均经过严格测试验证,可靠性高。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于DC/DC转换器、开关电源等需要高性能MOSFET的应用场景。
    - 使用建议:
    - 在高频应用场景下,应特别关注热管理和散热设计,以确保MOSFET正常工作。
    - 对于长期工作环境,建议监控并维持其工作温度在允许范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTR4503NT3G 支持标准SOT-23封装,易于安装和使用,可广泛用于不同类型的电路板上。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持文档和应用指南,帮助客户快速上手和故障排查。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 工作温度过高导致设备过热。
    - 解决方案: 加强散热措施,使用适当的散热片或风扇辅助散热。

    2. 问题: 设备出现短路现象。
    - 解决方案: 检查连接线是否正确连接,确保各引脚没有短路或断路。
    3. 问题: 设备无法正常启动。
    - 解决方案: 确认供电电压是否在正常工作范围内,并检查外围电路是否有异常。

    总结和推荐


    NTR4503NT3G N-Channel MOSFET以其出色的性能、可靠性和广泛应用场景,在电子元器件市场中具有很强的竞争优势。其无卤材料和100% Rg测试保证了其环保性和稳定性。对于需要高可靠性功率MOSFET的应用,强烈推荐选用NTR4503NT3G。
    通过以上分析,我们可以看出NTR4503NT3G MOSFET是一款值得信赖且性能优越的产品,非常适合在各类电源管理设备中使用。

NTR4503NT3G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 6.5A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTR4503NT3G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTR4503NT3G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTR4503NT3G-VB NTR4503NT3G-VB数据手册

NTR4503NT3G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
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