处理中...

首页  >  产品百科  >  UF740L-TA3-T-VB

UF740L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: UF740L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UF740L-TA3-T-VB

UF740L-TA3-T-VB概述

    # UF740L-TA3-T N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UF740L-TA3-T 是一款高性能的 N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),由台湾 VBsemi 公司生产。该器件适用于多种高效率的电力转换场景,如服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)。此外,该器件还广泛应用于工业设备中。它的低导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(Qg)使其在高频率开关应用中表现出色。
    主要功能
    - 高效率:低导通电阻与极低的栅极电荷设计减少能耗。
    - 快速开关:适合高频开关电路,提高系统整体效率。
    - 广泛的应用领域:包括电源管理、工业控制及照明系统。
    应用领域
    - 数据中心和服务器的高效电源供应系统。
    - 电信基础设施的电源管理系统。
    - 工业自动化中的电机驱动和控制。
    - 照明解决方案,例如高强度放电灯和荧光灯。

    技术参数


    以下是 UF740L-TA3-T 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.5 Ω |
    | 栅极充电量 | Qg 12 nC |
    | 栅极-源极电容 | Ciss 147 pF |
    | 有效输出电容(时间相关)| Co(tr)
    | 极限额定值
    | 最大漏极电流 | ID 7 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM 186 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他参数还包括动态特性和热阻抗等,这些指标表明 UF740L-TA3-T 在高温下的稳定性和可靠性。

    产品特点和优势


    1. 低功耗设计:通过优化的导通电阻和极低的栅极电荷,显著降低了开关损耗和传导损耗。
    2. 快速响应能力:支持高频开关应用,减少了电磁干扰并提高了能效。
    3. 高可靠性:绝对最大额定值表明其能在严苛的工作环境下稳定运行。
    4. 兼容性强:适用于多种电源和照明设备,适应广泛的行业需求。
    5. 高效散热设计:TO-220AB 封装提供了良好的热管理解决方案,有助于延长器件寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数据中心电源:用于服务器电源供应模块,实现高效的能源管理和稳定的电力传输。
    - 照明系统:适配于高强度放电灯和荧光灯镇流器,提供更高效的灯光控制。
    - 工业设备:如电机驱动器,可提高工业过程的效率和精度。
    使用建议
    - 在高频应用中,合理选择驱动电阻(Rg)以平衡开关速度与功耗。
    - 结合热管理系统优化散热设计,确保长期可靠运行。
    - 注意遵循制造商推荐的焊接温度限制,避免对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UF740L-TA3-T 可与标准的 TO-220AB 封装兼容,方便替换传统器件。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利集成到设计方案中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 优化散热设计,增加外部散热片 |
    | 栅极电压不稳定 | 调整驱动电路的输入电压和滤波器 |
    | 开关噪声过大 | 添加缓冲电路,减小寄生电感 |

    总结和推荐


    UF740L-TA3-T 是一款专为高效能电源和照明系统设计的 N-Channel Power MOSFET。其优异的性能和广泛的应用场景使其成为电力管理领域的理想选择。建议在需要高效率、高可靠性的场景下优先考虑此款器件。VBsemi 提供的专业技术支持和服务也增强了产品的市场竞争力。
    推荐指数:★★★★★
    此产品非常适合需要高性能、高效率的电力电子应用场合。如果您正在寻找一款能够在复杂环境中保持稳定运行的 MOSFET,UF740L-TA3-T 绝对值得您的关注!

UF740L-TA3-T-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UF740L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UF740L-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UF740L-TA3-T-VB UF740L-TA3-T-VB数据手册

UF740L-TA3-T-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336