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WFF4N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: WFF4N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF4N60-VB

WFF4N60-VB概述

    WFF4N60 N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFF4N60是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有650V的漏源击穿电压和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电力转换和驱动应用。这款MOSFET的特点在于其简单的驱动需求、增强的栅极和动态dV/dt鲁棒性,以及全面表征的电容和雪崩特性。

    2. 技术参数


    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 650V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 2.5Ω(@10V)
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 48nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 12nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 19nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 3.8A(@25°C), 18A(脉冲)
    - 最大功率耗散 \( PD \): 30W(@25°C)
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 焊接推荐: 峰值温度 300°C (持续10秒)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 \( Qg \):简化驱动需求,减少驱动电路复杂度。
    - 增强的栅极和动态dV/dt鲁棒性:提高整体可靠性,适用于高压快速开关应用。
    - 全面表征的电容和雪崩特性:确保稳定性和安全性,适用于恶劣的工作环境。
    - 符合RoHS标准:满足环保要求,无铅设计,适合绿色制造。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:WFF4N60常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和照明系统等应用。
    - 使用建议:在设计应用时,应注意散热设计以避免过热。例如,在高温环境下使用时,应降低功耗或增加散热片以保持设备的正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - WFF4N60与各种常见的驱动电路和控制电路兼容。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品测试报告、应用指南和技术文档等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热
    - 解决方案: 增加散热措施,如安装散热片或改善散热路径。
    - 问题2: 开关频率过高导致设备损坏
    - 解决方案: 调整驱动电路参数,降低开关频率。
    - 问题3: 高温环境下设备无法正常工作
    - 解决方案: 使用适当的降额操作,确保工作温度不超出限制。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WFF4N60凭借其出色的电气特性和广泛的适用性,非常适合于高可靠性要求的应用场合。其低导通电阻和良好的热性能使其在电力转换和驱动应用中表现出色。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用场景中采用WFF4N60。
    如有更多疑问,可联系我们的服务热线:400-655-8788。

WFF4N60-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

WFF4N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF4N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF4N60-VB WFF4N60-VB数据手册

WFF4N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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