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UTD408L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: UTD408L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTD408L-TN3-R-VB

UTD408L-TN3-R-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET UTD408L-TN3-R

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于VBsemi公司出品的TrenchFET®系列。该产品主要用于服务器、电源OR-ing等应用场景,能够有效提升系统的能效和稳定性。它采用了先进的沟槽工艺技术,能够在多种恶劣环境中稳定运行。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | - | 30 | - | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | - | 1 A | 200 | A |
    | 漏极连续电流 (TC=25°C) | - | 0.8 A | 1 A | A |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.007 Ω | 0.009 Ω | - | Ω |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 1.5 | 2.0 | V |
    | 门极泄漏电流 (IGSS) | - | ± 100 | nA |
    | 二极管反向恢复时间 (trr) | 52 | 78 | ns |
    | 反向恢复电荷 (Qrr) | 70.2 | 105 | nC |
    此外,该器件还符合RoHS标准,并具有良好的热阻特性,在不同工作温度下仍能保持稳定的性能。

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过100% Rg 和 UIS 测试,确保器件的可靠性和长期使用寿命。
    2. 低导通电阻:在典型条件下,RDS(on)仅为0.007Ω,从而显著降低功耗并提高效率。
    3. 快速开关性能:优秀的动态特性使其适用于高速开关应用,例如高频逆变器。
    4. 低漏电流:VGS(th)范围为1.5~2.0V,门极泄漏电流为±100nA,确保了更低的漏电流损失。
    5. 出色的温度适应性:能够在-55°C到175°C的工作温度范围内稳定运行,适应严苛的环境条件。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器电源系统:由于其优异的散热特性和低损耗,可以用于服务器的电源管理系统,提升系统的整体效率。
    2. OR-ing电路:在OR-ing电路中,该器件能够有效地防止逆流,保护下游设备免受损坏。
    使用建议:
    - 在设计时,考虑适当的散热措施以确保最佳性能和延长使用寿命。
    - 选择合适的门极驱动电阻 (Rg),以优化开关速度和降低EMI干扰。

    兼容性和支持


    该器件采用TO-252封装,适用于表面贴装技术(SMT)。根据手册描述,它具有良好的兼容性,可以与大多数现有的电路板和焊接设备无缝集成。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决各种应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流环境下,漏源电压降增大。
    解决方案:检查连接线路是否过长或过细,重新设计PCB布局以减少线路电阻。
    2. 问题:二极管反向恢复时间较长。
    解决方案:选择合适的栅极电阻 (Rg),通常在1至2Ω之间,以优化开关速度。

    总结和推荐


    总的来说,UTD408L-TN3-R是一款出色的N-Channel MOSFET,具备卓越的性能和可靠性。它的低导通电阻、高开关速度和广泛的温度适应性使其在多种应用中表现出色。无论是用于服务器电源管理还是其他高可靠性要求的应用场合,这款MOSFET都是一个非常理想的选择。
    综上所述,强烈推荐UTD408L-TN3-R作为高性能电源管理和控制应用的理想选择。

UTD408L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTD408L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTD408L-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTD408L-TN3-R-VB UTD408L-TN3-R-VB数据手册

UTD408L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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