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IPS12CN10LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: IPS12CN10LG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPS12CN10LG-VB

IPS12CN10LG-VB概述

    IPS12CN10L G-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPS12CN10L G-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 100-V 沟道 MOSFET。它采用先进的 TrenchFET® Power MOSFET 技术,能够承受高达 175°C 的最大结温。这款 MOSFET 主要应用于电力转换、电源管理等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100 V
    - 连续漏极电流 (TC): 100 A(TJ = 150°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 300 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 280 mJ
    - 最高功率耗散: 250 W(自由空气,TO-220AB)
    - 热阻抗 (RthJA): 62.5°C/W(自由空气,TO-220AB)
    - 热阻抗 (RthJC): 0.6°C/W
    - 关断延迟时间 (td(off)): 55 至 85 ns
    - 上升时间 (tr): 90 至 135 ns
    - 正向压降 (VSD): 1.0 至 1.5 V(IF = 85 A)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性: 最大结温为 175°C,适合高温环境应用。
    2. 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 和 4.5 V 时分别为 0.009Ω 和 0.020Ω,保证了高效能转换。
    3. 快速开关特性: 开关时间和上升时间较短,适合高频应用。
    4. RoHS 合规: 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC,环保安全。
    5. 高雪崩耐受能力: 单脉冲雪崩能量高达 280 mJ,保证了高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于各种电源管理电路,如 DC-DC 转换器、电池充电器等。
    - 使用建议:
    - 确保散热片正确安装,以提高散热效率。
    - 在高压应用中使用时,注意保护电路避免过载。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与 TO-220AB 封装兼容,适用于大多数标准 PCB 板。
    - 支持: VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术论坛和客户服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致温度过高。
    - 解决方案: 增加散热措施,如安装散热片。
    - 问题: 雪崩能量不足导致损坏。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保不会超过单脉冲雪崩能量限值。

    总结和推荐


    IPS12CN10L G-VB MOSFET 具有高性能和高可靠性,非常适合于需要高效能转换的应用场合。它的高导通电阻和快速开关特性使其在高频应用中表现出色。因此,我们强烈推荐在电力转换和电源管理领域使用这款产品。

IPS12CN10LG-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPS12CN10LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPS12CN10LG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPS12CN10LG-VB IPS12CN10LG-VB数据手册

IPS12CN10LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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