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J239-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J239-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J239-VB

J239-VB概述

    产品概述:P-Channel 60V MOSFET


    产品简介:

    该产品是一款P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于负载开关等应用。它的核心特性是采用TrenchFET技术,具有高效率和低导通电阻。广泛应用于电源管理、负载开关和其他需要高效能和稳定性的电路设计中。

    技术参数:

    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |------------------|--------------------------|-------------------------------------------|
    | 最大漏源电压 (VDS) | 60 V | 在TJ = 25°C时 |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.061Ω (VGS = -10V, ID = -5A) | TJ = 125°C时为0.150Ω,TJ = 175°C时为0.150Ω |
    | 持续漏电流 (ID) | -30 A | TJ = 25°C时 |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 7.2 mJ | L = 0.1 mH |
    | 最大功率耗散 (PD) | 34 W | TA = 25°C时 |

    工作环境:

    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 绝对最大额定值:门源电压VGS为±20V

    产品特点和优势:

    1. TrenchFET技术:这项技术提高了效率,降低了导通电阻,适用于需要高效率的应用场景。
    2. 100%UIS测试:确保产品在极端条件下也能够可靠运行。
    3. 低导通电阻:在不同温度下的稳定性使得这款MOSFET适合多种环境。

    应用案例和使用建议:

    应用案例:

    1. 负载开关:由于其低导通电阻,该产品特别适用于需要精确控制电流的应用,如电源管理。
    2. 电路保护:利用其过流保护能力,在电路故障情况下可以迅速断开,防止损坏。

    使用建议:

    - 热管理:在高电流应用中需注意散热,以免超过最大功率耗散限制。
    - 选型参考:根据具体应用场景选择合适的电压和电流等级,以达到最佳效果。

    兼容性和支持:

    该MOSFET产品采用标准的TO-252封装,易于安装且具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术支持和文档资料,包括使用手册和常见问题解答。

    常见问题与解决方案:

    1. 高温环境下工作温度过高:
    - 解决方案:增加散热片或采用强制风冷系统。
    2. 电流超过额定值导致损坏:
    - 解决方案:确保电流不超过最大额定值,必要时加装外部保护电路。
    3. 安装后无法正常工作:
    - 解决方案:检查焊接质量及电路连接,确认无误后再进行调试。

    总结和推荐:

    这款P-Channel 60V MOSFET凭借其高效、稳定的特点,在负载开关和其他电源管理应用中表现出色。对于追求高性能和可靠性设计的工程师而言,这是一款非常值得推荐的产品。需要注意的是,正确的热管理和适当的应用选择将极大提高其性能表现和使用寿命。

J239-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Id-连续漏极电流 38A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J239-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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J239-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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