处理中...

首页  >  产品百科  >  4517GM-VB

4517GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: 4517GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4517GM-VB

4517GM-VB概述

    高质量文章:电子元器件产品技术手册解析

    一、产品简介


    本手册详细介绍了一款名为“N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET”的电子元器件。该产品为一款金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),支持N通道和P通道,主要功能是用于功率转换和开关控制,广泛应用于电动机驱动、移动电源等领域。通过采用先进的沟槽技术(TrenchFET®),该产品具有卓越的性能和可靠性。

    二、技术参数


    根据手册中的技术规格信息,该产品的关键参数如下:
    - VDS(漏源电压):30 V(N-Channel)、30 V(P-Channel)
    - RDS(on)(导通电阻):0.018 Ω(N-Channel,VGS=10 V)、0.032 Ω(P-Channel,VGS=-10 V)
    - ID(持续漏极电流):6.8 A(N-Channel,TA=25 °C)、6.8 A(P-Channel,TA=25 °C)
    - UIS(单脉冲雪崩能量):5 mJ(N-Channel)、20 mJ(P-Channel)
    此外,该产品的电气特性包括:
    - 最高栅极源极电压(VGS):±20 V
    - 最大功耗(PD):3.1 W(N-Channel,TC=25 °C)、3.2 W(P-Channel,TC=25 °C)
    - 热阻(RthJA):50 °C/W(N-Channel,TC=25 °C)、47 °C/W(P-Channel,TC=25 °C)

    三、产品特点和优势


    该产品具有以下几个显著特点和优势:
    - 高效率:低导通电阻(RDS(on))使得损耗降低,从而提高整体效率。
    - 高温性能优异:适用于高达150 °C的工作温度范围。
    - 可靠性高:100%经过栅极电阻和单脉冲雪崩测试。
    - 环保材料:符合RoHS指令,并且不含卤素。
    这些特点使其在各种高压、大电流的应用场合表现出色。

    四、应用案例和使用建议


    根据手册中的应用场景,该产品适合于以下几种应用:
    - 电动机驱动:利用其高效能和高可靠性来控制电机的启动和运行。
    - 移动电源:小型化设计和高能效有助于延长移动设备的电池寿命。
    对于上述应用场景,以下是一些使用建议:
    - 在选择电源管理方案时,应考虑电路的散热设计,以确保长期稳定运行。
    - 在多级功率转换系统中,合理安排MOSFET的位置和连接方式,减少寄生电感的影响。

    五、兼容性和支持


    该产品采用标准SO-8封装,能够方便地集成到现有的电路板设计中。厂商提供了详细的技术支持,包括安装指南、故障排查和应用笔记,以帮助客户顺利完成项目开发。

    六、常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题和解决方案,以下是一些常见的问题及解决方法:
    - 问题:电路中出现过热现象
    解决办法:检查电路设计,增加散热措施,例如使用散热片或风扇。
    - 问题:MOSFET损坏
    解决办法:检查输入电压和电流是否超过额定值,确保接线正确无误。
    - 问题:导通时间长
    解决办法:适当调整栅极电阻值,优化开关速度。

    七、总结和推荐


    总体而言,这款N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET是一款高性能的电子元器件,适用于多种应用场景。其独特的特点和优势使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用场合使用该产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi服务热线:400-655-8788。

4517GM-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A,6A
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4517GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4517GM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4517GM-VB 4517GM-VB数据手册

4517GM-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831