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WNM2025-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: WNM2025-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WNM2025-VB

WNM2025-VB概述

    N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 20V MOSFET 是一款由VBsemi公司生产的高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用沟槽工艺制造,具有出色的热稳定性和高可靠性。这款MOSFET 主要用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。它特别适用于需要高效和低功耗的应用场景。

    技术参数


    以下为该N-Channel 20V MOSFET 的关键技术和性能参数:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 20 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±12 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (TC = 25°C): 6 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 20 A
    - 源极-漏极二极管电流 (IS): 1.75 A
    - 功率参数:
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C): 2.1 W
    - 热阻抗 (RthJA): 80°C/W (典型值)
    - 温度范围:
    - 工作结温 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 其他参数:
    - 阈值电压 (VGS(th)): 0.45 V 至 1.0 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 20 V, VGS = 0 V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 5.0 A: 0.028 Ω
    - VGS = 2.5 V, ID = 4.7 A: 0.042 Ω
    - VGS = 1.8 V, ID = 4.3 A: 0.050 Ω

    产品特点和优势


    该N-Channel 20V MOSFET 具有多项独特的功能和优势:
    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准,确保环保安全。
    - 高效的TrenchFET®技术: 提供卓越的导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),有助于降低系统功耗和提高效率。
    - 全面测试: 所有产品均经过100%门极电阻(Rg)测试,保证产品质量。
    - RoHS合规: 符合RoHS Directive 2002/95/EC标准,符合欧洲环保要求。

    应用案例和使用建议


    该N-Channel 20V MOSFET 广泛应用于多种电子设备,如DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关。以下是几个典型的应用场景及使用建议:
    - DC/DC转换器:由于其低导通电阻和低门极电荷,这款MOSFET适合用于高频和高效率的DC/DC转换器设计。
    - 便携式应用:对于需要长时间电池供电的便携设备,这款MOSFET可以有效降低功耗,延长电池寿命。
    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑MOSFET的散热需求,以防止过热损坏。
    - 在使用过程中,建议合理控制栅极驱动电压,避免电压过高导致击穿风险。

    兼容性和支持


    该N-Channel 20V MOSFET 采用SOT-23封装,具有良好的兼容性,可以方便地替换同类型号的其他品牌产品。此外,VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,并设有服务热线400-655-8788,随时为客户提供技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    以下列举了一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:开机后MOSFET发热严重。
    - 解决办法:检查散热片是否安装到位,确认电路中的栅极驱动电压是否适当。
    - 问题:在高频率下工作时效率下降。
    - 解决办法:检查并优化电源电路布局,确保门极驱动信号干净,减少寄生电容影响。
    - 问题:出现过流保护。
    - 解决办法:增加外部限流电路,或者调整电源管理设置以适应更高电流需求。

    总结和推荐


    综上所述,VBsemi的N-Channel 20V MOSFET是一款性能优异、应用广泛的电子元器件。其低导通电阻、高效的热稳定性以及环保的无卤素材料设计使其在市场上具备很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
    如有任何疑问,欢迎随时联系我们的服务热线400-655-8788获取更多技术支持。

WNM2025-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 8V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WNM2025-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WNM2025-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WNM2025-VB WNM2025-VB数据手册

WNM2025-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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