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2SK2266-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: 2SK2266-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2266-VB

2SK2266-VB概述

    # N-Channel 60V MOSFET 2SK2266-VB 技术手册

    产品简介


    基本信息
    2SK2266-VB 是一款高性能的N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),设计用于电力转换、驱动和其他高电压应用。此型号提供了卓越的电气特性和热稳定性,使其适用于各种高要求的应用场景。
    主要功能
    - 高隔离电压:2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)。
    - 动态dv/dt额定值:适用于快速开关的应用。
    - 低热阻:提高可靠性和效率。
    - 无铅材料:环保友好。
    应用领域
    - 工业电机控制
    - 电源管理
    - 照明系统
    - 通信设备
    - 汽车电子

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID 45 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 220 | A |
    | 最大功耗 | PD 52 | W |
    | 热阻抗 | RthJA 65 | °C/W |
    规格参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| VDS = VGS, ID = 250 μA | 1.0 3.0 | V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS = 60 V, VGS = 0 V 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on)| VGS = 10 V, ID = 18 A 0.027 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz 1500 pF |
    | 总栅电荷 | Qg | VGS = 10 V, ID = 52 A, VDS = 48 V 9 | nC |

    产品特点和优势


    特点
    - 高电压隔离:具备2.5 kVRMS的隔离电压,适合高压应用。
    - 动态dv/dt额定值:快速开关,适合需要高速响应的应用。
    - 低热阻:提高了系统的可靠性,降低了故障率。
    - 无铅材料:环保友好,符合RoHS标准。
    优势
    - 优越的热稳定性:能够在-55°C至175°C的工作温度范围内稳定运行。
    - 高可靠性和耐用性:动态dv/dt额定值使器件能够承受快速变化的电压和电流,适用于苛刻的应用环境。
    - 环保设计:无铅材料,适用于要求严格的环保应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK2266-VB 广泛应用于工业电机控制、电源管理和照明系统中。例如,在电机控制系统中,它可以有效降低功耗并提高系统的响应速度。
    使用建议
    - 在选择外围电路时,确保所有组件均符合额定电流和电压的要求。
    - 高温环境下使用时,建议增加散热措施以保证器件的正常运行。
    - 尽可能减少外部寄生电感,以提高系统的整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    2SK2266-VB 与大多数常用的驱动器和控制器兼容,可方便地集成到现有系统中。建议使用制造商提供的技术支持来确保最佳的兼容性和性能。
    支持和维护
    台湾VBsemi Electronics 提供详尽的技术支持和售后服务,用户可通过公司官网或客服热线获取相关资料和技术支持。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,器件功耗过高。
    - 解决方案:增加散热片或采用强制风冷等方式,提高器件的散热效果。
    2. 问题:开机瞬间出现过压现象。
    - 解决方案:在电路中加入适当的缓冲电路,保护器件免受瞬态电压冲击。

    总结和推荐



    总结


    2SK2266-VB 是一款专为高要求应用设计的N-通道MOSFET。它具有高电压隔离能力、低热阻和快速响应等特点,适用于工业、汽车和通信等领域。
    推荐
    鉴于其优异的电气特性和可靠性,强烈推荐在工业和商业应用中使用2SK2266-VB。通过合理的选型和设计,可以显著提升系统性能和寿命。

2SK2266-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2266-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2266-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2266-VB 2SK2266-VB数据手册

2SK2266-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 1000
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