处理中...

首页  >  产品百科  >  9467GS-VB

9467GS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,100A,RDS(ON),5mΩ@10V,6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO263适用于中功率和中电压的场合,可广泛应用于各种电子设备和模块中。
供应商型号: 9467GS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9467GS-VB

9467GS-VB概述

    9467GS-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    9467GS-VB 是一款N沟道40V(D-S)MOSFET,采用ThunderFET®技术,具备卓越的性能。其主要功能包括高可靠性、良好的热稳定性和宽广的工作温度范围。此产品广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动等领域。

    技术参数


    - 主要电气特性:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 40 V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 100 A (TJ = 25 °C), 60 A (TJ = 125 °C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 220 A (t = 100 μs)
    - 雪崩耐量 \(E{AS}\): 125 mJ
    - 静态特性:
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):在 \(V{GS} = 10 V\) 时为 0.005 Ω,在 \(V{GS} = 4.5 V\) 时为 0.006 Ω
    - 栅极电荷 \(Qg\):典型值为 53 nC
    - 栅极至漏极电荷 \(Q{gd}\): 13.2 nC
    - 热阻:
    - 结到环境热阻 \(R{thJA}\): 40 °C/W
    - 结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.75 °C/W
    - 工作温度范围:
    - 存储温度范围 \(T{stg}\): -55 至 +175 °C
    - 工作温度范围 \(TJ\): -55 至 +175 °C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试。
    2. 高功率处理能力:能承受220 A的脉冲电流。
    3. 宽泛的工作温度范围:高达175 °C的结温使它适合高温环境。
    4. 良好的热稳定性:优秀的散热设计减少了热阻。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:用于高效稳定的直流电源转换。
    - 电机控制:适用于要求快速响应和高效率的场合。
    - LED驱动:提供精准的电流控制以确保LED的亮度和寿命。
    使用建议:
    - 确保电路板的设计考虑到了散热需求,尤其是在高温环境下使用时。
    - 使用适当的栅极电阻以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 与市场上常见的PCB设计兼容,推荐使用1" x 1" FR4材质的双层铜板。
    - 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过服务热线(400-655-8788)获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:启动时出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热系统是否足够高效,增加散热片或改善空气流通。

    2. 问题:栅极电荷过高。
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,调整栅极电荷值。

    总结和推荐


    9467GS-VB MOSFET 是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性,适合多种应用场景。其高可靠性和宽泛的工作温度范围使其成为高性能应用的理想选择。因此,我们强烈推荐这款产品。
    希望这份解析能够帮助您全面了解9467GS-VB MOSFET的特点和优势。如需进一步技术支持,欢迎联系我们的服务热线。

9467GS-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9467GS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9467GS-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9467GS-VB 9467GS-VB数据手册

9467GS-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
800+ ¥ 2.4839
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336