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K4121-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K4121-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4121-VB

K4121-VB概述

    # K4121-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K4121-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、低输入电容和快速开关能力等特点。其主要应用领域包括消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器及功率因数校正(PFC)系统等。

    技术参数


    以下是 K4121-VB 的关键技术参数:
    - VDS(漏源电压):550 V
    - RDS(on)(导通电阻):在 25 °C 时为 0.26 Ω (VGS = 10 V)
    - 最大连续漏电流 (ID):在 25 °C 时为 18 A,在 100 °C 时为 11 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):56 A
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值为 150 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):25 nC
    - 雪崩能量额定值 (EAS):281 mJ
    - 热阻:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.45 °C/W
    - 静态参数:
    - 击穿电压 (VDS):550 V
    - 门限电压 (VGS(th)):2 - 4 V
    - 输入电容 (Ciss):最大值为 3094 pF
    - 动态参数:
    - 有效输出电容 (Co(er)):最大值为 131 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)):最大值为 50 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):最大值为 176 ns
    - 落后时间 (tf):最大值为 112 ns

    产品特点和优势


    K4121-VB 的核心优势在于其低面积特定导通电阻(Low Area Specific On-Resistance)、低输入电容(Ciss)、低栅极电荷(Qg)以及高体二极管耐久性(High Body Diode Ruggedness)。这些特性使得该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色,能够显著减少能耗和提高效率。
    此外,其低导通电阻和低热阻使得该器件在恶劣环境中仍能保持优异的性能,适合用于工业和电力系统等应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 消费电子:如 LCD 和等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源:作为开关模式电源(SMPS)中的关键部件。
    - 工业:用于焊接、感应加热和电机驱动系统。
    - 电池充电器:适用于多种充电电路。
    - 功率因数校正(PFC)系统:用于提高能源利用效率。
    使用建议
    在使用 K4121-VB 时,确保其工作温度不超过绝对最大值 150 °C,并注意散热设计以避免过热问题。在应用中,建议使用适当的栅极驱动电路以降低损耗并提高整体系统效率。此外,由于该器件具有较高的漏源电压,建议在设计过程中注意防止过压现象,从而保护器件免受损坏。

    兼容性和支持


    K4121-VB 与其他常见的电子元器件和设备具有良好的兼容性,特别是那些需要高耐压和高效能的应用。制造商提供了详细的技术文档和支持,包括焊接指南和热阻参数,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下工作不稳定
    - 解决方案:确保散热设计合理,选择合适的散热片或其他冷却措施。
    2. 问题:器件在高频开关时产生过多热量
    - 解决方案:增加外部散热器,优化 PCB 布局以减少寄生电感。
    3. 问题:栅极驱动电路设计不当导致损坏
    - 解决方案:根据厂商提供的资料调整驱动电路,确保正确的栅极电荷配置。

    总结和推荐


    总体而言,K4121-VB 是一款高度可靠且高效的 N-Channel MOSFET,非常适合应用于需要高电压、低功耗和良好开关特性的工业和电力系统中。其独特的技术参数和性能使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐用户在上述应用场景中考虑使用该产品。

K4121-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4121-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4121-VB数据手册

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K4121-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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