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K2522-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F\n由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K2522-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2522-01MR-VB

K2522-01MR-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道200V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于表面贴装及低轮廓通孔安装。这款MOSFET符合多项行业标准,包括IEC 61249-2-21无卤素定义、RoHS指令2002/95/EC,并且可在热塑带和卷材中提供。此外,它还具有快速开关、全雪崩等级等特点,在动态dv/dt率、150°C的工作温度范围内表现出色。

    技术参数


    - 最大电压:VDS 200V
    - 连续漏极电流:ID(TC=25°C)20A,ID(TC=100°C)14A
    - 脉冲漏极电流:IDM 72A
    - 线性降额因子:1.0W/°C
    - 单脉冲雪崩能量:EAS 580mJ
    - 重复雪崩能量:EAR 13mJ
    - 结温:TJ, Tstg -55到+150°C
    - 典型导通电阻:RDS(on)(VGS=10V, ID=11A)0.058Ω
    - 总门极电荷:Qg 70nC
    - 输入电容:Ciss 1300pF
    - 输出电容:Coss 430pF
    - 反向转移电容:Crss 130pF

    产品特点和优势


    这款N沟道MOSFET具有以下独特功能和优势:
    - 低栅源电压下的高导通电阻:能够有效减少功耗,提高电路效率。
    - 高动态dv/dt率:适用于要求快速响应的应用场合。
    - 快速开关:减少开关损耗,提高系统整体性能。
    - 全雪崩等级:适用于高可靠性要求的应用场合。
    - 符合RoHS标准:无铅,环保友好。
    - 广泛的温度范围:适用于恶劣环境条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    本MOSFET广泛应用于电机驱动、电源转换、工业自动化等领域。例如,在电机驱动系统中,这款MOSFET可以用于高效地控制电机的运行状态,从而提升整个系统的能效。
    对于初次使用者,建议按照产品手册进行详细阅读并严格按照推荐的焊接温度进行操作。同时,需要注意控制环境温度,避免长时间在高温条件下工作,以免影响器件寿命和可靠性。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件的兼容性良好,适用于多种应用场景。制造商提供详细的焊接温度推荐和使用说明,以确保最佳效果。此外,技术支持团队为用户提供专业的产品咨询和技术支持,帮助解决实际使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,常见的问题及其解决方案包括:
    - 问题:如何正确处理过热情况?
    - 解决方案:在过热情况下,立即关闭系统并允许器件冷却至安全温度。如果频繁出现过热现象,则需要重新设计电路或增加散热措施。

    - 问题:如何测试MOSFET的雪崩能力?
    - 解决方案:使用手册中提供的测试电路和参数进行雪崩测试,确保其在规定的条件下正常工作。

    总结和推荐


    总体而言,这款N沟道MOSFET凭借其高可靠性、快速开关能力和宽广的工作温度范围,非常适合于各种工业应用场合。其高导通电阻和低栅源电压下的性能表现使其成为众多工程师的理想选择。强烈推荐给那些寻求高效、可靠的电源管理解决方案的工程师和设计师。
    如果您有任何疑问或需要更多帮助,请随时联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

K2522-01MR-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2522-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2522-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2522-01MR-VB K2522-01MR-VB数据手册

K2522-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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