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AOT11N70-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,7A,RDS(ON),750mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: AOT11N70-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AOT11N70-VB

AOT11N70-VB概述

    # AOT11N70-VB N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    AOT11N70-VB 是一款 N 沟道超级结功率 MOSFET,适用于各种高电压和高效能的应用场合。其主要功能包括低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),使其特别适合于服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明及工业领域中的应用。此外,AOT11N70-VB 具备卓越的抗雪崩能力和低损耗特性,能够在高频率和大电流环境下稳定运行。

    技术参数


    以下是 AOT11N70-VB 的主要技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 700 | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2-4 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.75 @ VGS=10 V, ID=4 A | Ω |
    | 栅极电荷(Qg) | 3 @ VGS=10 V, ID=4 A, VDS=520 V | nC |
    | 输入电容(Ciss) | 66 @ VGS=0 V, VDS=100 V, f=1 MHz | pF |
    | 雪崩能量(EAS) | 7 | mJ |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 5.9 @ VGS=10 V, TC=100 °C | A |
    | 最大漏源电压斜率(dV/dt)| 200 | V/ns |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):降低开关损耗,提高效率。
    2. 低输入电容(Ciss):减少驱动损耗,加快开关速度。
    3. 超低栅极电荷(Qg):提高电路的整体性能,降低功耗。
    4. 抗雪崩能量(UIS):确保高可靠性,适用于严苛的工业环境。
    5. 宽工作温度范围:-55 至 +150 °C,适应多种应用条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:提供高效的电源转换,满足数据中心和通信基站的需求。
    2. 照明:适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡的控制电路。
    3. 工业:应用于电机控制和工业自动化设备。
    使用建议
    1. 在高温环境中使用时,应注意散热,确保器件正常工作。
    2. 设计时考虑低寄生电感和接地平面,以降低杂散效应。
    3. 为实现最佳性能,建议将栅极电阻(Rg)设定在合适的范围内。

    兼容性和支持


    AOT11N70-VB 可与市面上常见的电路板设计工具兼容,厂商提供详细的电路布局指导和应用参考文档。如有需要,可联系 VBsemi 客户服务获取进一步的技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流条件下出现过热现象。
    - 解决方案:改善散热措施,如增加散热片或采用更好的散热设计。
    2. 问题:启动时出现不稳定情况。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保合适的栅极驱动电压和电流。
    3. 问题:在高频率下工作时表现不佳。
    - 解决方案:减小栅极电阻,优化电路布局,降低寄生电感。

    总结和推荐


    AOT11N70-VB N-Channel 700V (D-S) Super Junction Power MOSFET 在高效能和高可靠性方面表现出色。其低损耗特性、宽工作温度范围和高抗雪崩能力使其成为众多应用的理想选择。综合以上因素,强烈推荐此款 MOSFET 给需要高性能电源解决方案的设计者和工程师。

AOT11N70-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

AOT11N70-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AOT11N70-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AOT11N70-VB AOT11N70-VB数据手册

AOT11N70-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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