处理中...

首页  >  产品百科  >  J463-T1-A-VB

J463-T1-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n在电机控制系统中,该产品可用作电机驱动的开关管,用于控制电机的启停和速度调节。其高耐压性和低导通电阻特性使得电机驱动系统更加稳定和高效,适用于工业自动化、机器人等领域。\nP沟道,-20V,-3A,RDS(ON),98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SC70-3
供应商型号: J463-T1-A-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J463-T1-A-VB

J463-T1-A-VB概述


    产品简介


    P-Channel 20V (D-S) MOSFET 是一款高性能的沟槽型功率场效应晶体管(TrenchFET®),专为高可靠性设计。该产品广泛应用于负载开关和直流-直流转换器等领域。其核心优势在于低导通电阻、小尺寸封装和优越的电气特性,使其成为电力电子系统中的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):20V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC = 25°C 时:3.1A
    - TC = 70°C 时:2.1A
    - TA = 25°C 时:1.4A(最大)
    - TA = 70°C 时:1.1A(最大)
    - 脉冲漏电流(IDM):6A
    - 最大零栅电压漏电流(IDSS):-1μA
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):20V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-0.45V 至 -1.5V
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):272pF
    - 输出电容(Coss):55pF
    - 反向传输电容(Crss):44pF
    - 热阻参数:
    - 最大结壳热阻(RthJF):225°C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):250°C/W(最大)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 VGS = -4.5V 时,RDS(on) 仅为 0.080Ω,确保低损耗和高效率。
    - 高温稳定性:具备良好的温度系数特性,在宽广的温度范围内保持稳定的性能。
    - 环保材料:符合RoHS标准和无卤素材料定义,适合绿色环保应用。
    - 快速响应时间:具有较短的开关延迟时间和恢复时间,适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:如电源管理和电池充电控制。
    - DC/DC 转换器:用于高效能的电压转换和调节。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,注意散热设计,避免因温度过高导致性能下降。
    - 确保良好的电路布局和接地设计,以减少寄生电感和提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    该产品支持与各种电源管理 IC 和控制器集成使用,具体兼容性可以参考厂商的技术文档。制造商提供详细的应用指南和技术支持,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查电路布局和接地设计,确保信号完整性。 |
    | 热量过高导致损坏 | 加强散热措施,如使用散热片或散热器。 |
    | 导通电阻异常高 | 检查 VGS 是否达到额定值,确认驱动电路正常工作。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款 P-Channel 20V (D-S) MOSFET 不仅具有出色的电气特性和高效的性能,还具备卓越的环境适应能力。其低导通电阻和快速响应时间使其在多种应用场景中表现出色。对于追求高效率和稳定性的电力电子设计来说,这款 MOSFET 是一个极佳的选择。我们强烈推荐使用这款产品,并期待它能在您的设计中发挥重要作用。

J463-T1-A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 3A
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Rds(On)-漏源导通电阻 98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J463-T1-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J463-T1-A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J463-T1-A-VB J463-T1-A-VB数据手册

J463-T1-A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
库存: 400000
起订量: 70 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:70
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504