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K1507-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K1507-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1507-01MR-VB

K1507-01MR-VB概述

    # K1507-01MR-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1507-01MR-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要适用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯球泡)等领域。此外,它也广泛应用于工业自动化设备中。

    技术参数


    以下是K1507-01MR-VB的主要技术规格:
    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | - | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±30 | - | V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 25 | 150 | °C |
    | 脉冲漏极电流 (IDM)| - | 130 | A |
    | 最大耗散功率 (PD) | - | 140 | W |
    | 绝对最大结温 (TJ) | -55至150 | - | °C |
    | 高温下的漏源电阻 (RDS(on)) | - | 20 | mΩ@10V |
    | 门极电荷 (Qg) | 14.4 | 18.2 | nC |

    产品特点和优势


    - 低图元值 (FOM):Ron x Qg 极低,有助于降低整体功耗。
    - 低输入电容 (Ciss):减小了开关损耗。
    - 超低栅极电荷 (Qg):有助于快速开关,降低能耗。
    - 雪崩能量额定值 (UIS):具有良好的抗浪涌能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K1507-01MR-VB 主要用于高效率的电源转换和调节系统。例如,在服务器电源供应中,通过减少电源转换过程中的能量损失,可以显著提高能源效率。在工业应用中,它常被用作电机控制电路中的关键部件。
    使用建议
    1. 在选择合适的驱动电路时,需确保驱动电阻 (Rg) 的阻值合适,以确保适当的开关时间和低功耗。
    2. 在安装过程中,注意散热设计,避免因过热导致损坏。可通过合理布置PCB板上的散热片来提高散热效果。
    3. 在高压环境下使用时,应考虑适当的电压缓冲措施,以防止瞬间电压冲击。

    兼容性和支持


    K1507-01MR-VB 与市场上常见的驱动IC兼容。VBsemi公司提供详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、测试报告和问题解决方案。如需进一步技术支持,可联系VBsemi公司的客户服务团队。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关时间不稳定
    - A: 确认驱动电阻 (Rg) 的阻值,重新调整驱动电阻至适宜值。
    2. Q: 通态电阻 (RDS(on)) 大
    - A: 检查栅源电压 (VGS) 是否足够高以达到理想的导通状态。
    3. Q: 逆向恢复电流过高
    - A: 尝试使用带有更低逆向恢复特性的二极管。

    总结和推荐


    综上所述,K1507-01MR-VB 功率MOSFET凭借其优秀的电气特性和高可靠性,在各种高效率电源系统和工业应用中表现出色。其低图元值、低输入电容及超低栅极电荷等特性使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。如果您需要一个高性能且可靠的MOSFET解决方案,K1507-01MR-VB无疑是一个明智的选择。
    服务热线:400-655-8788
    官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

K1507-01MR-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1507-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1507-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1507-01MR-VB K1507-01MR-VB数据手册

K1507-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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