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FCP190N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: 14M-FCP190N60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCP190N60-VB

FCP190N60-VB概述

    # FCP190N60-VB 650V(D-S)超结MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本描述
    FCP190N60-VB是一款由VBsemi生产的N沟道650V超结MOSFET,适用于各种高功率和高频开关应用。该产品具有低导通电阻和高耐压特性,特别适合于服务器和电信电源供应、高能效照明系统、消费电子产品以及工业焊接和电池充电等领域。
    主要功能
    - 低反向恢复时间(trr)
    - 低电荷存储时间和低反向恢复电荷(Qrr)
    - 低门极电荷(Qg)
    - 高可靠性及超结技术
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    应用领域
    - 电信:服务器和电信电源供应
    - 照明:高强度放电(HID)照明和荧光灯泡电源
    - 消费和计算:ATX电源供应
    - 工业:焊接设备和电池充电器
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器
    - 开关模式电源供应(SMPS)

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | 2 | 4 | - | V |
    | 栅源漏电流(漏源电压=520V) | - | 1 | 500 | μA |
    | 导通电阻(栅源电压=10V,漏源电流=11A) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 输入电容(栅源电压=0V,漏源电压=100V,频率=1MHz) | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容(VDS = 520V) | - | 105 | - | pF |
    | 总门极电荷(VGS=10V,漏源电压=520V) | - | 71 | 106 | nC |

    产品特点和优势


    特点
    - 低门极电荷和低导通电阻(Ron x Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 低切换损耗(Qrr)
    - 超低反向恢复时间(trr)
    - 良好的雪崩能量等级(UIS)
    优势
    FCP190N60-VB拥有极低的门极电荷和导通电阻,能够显著减少切换损耗,提升能效。其高耐压能力和可靠的雪崩能量等级使其在严苛环境下依然稳定运行。这些特性使其成为电信、工业、消费电子等多个领域的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FCP190N60-VB广泛应用于电信电源供应、LED照明系统以及太阳能光伏逆变器等高能效应用。例如,在ATX电源供应系统中,它能有效提高转换效率并降低发热。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,应注意散热设计以确保最佳性能。
    - 对于需要快速切换的应用场合,可考虑配合低杂散电感的电路设计,进一步提升性能。

    兼容性和支持


    - 该产品与常见的电源管理系统和其他组件兼容,易于集成到现有设计中。
    - 厂商提供详尽的技术支持和保修服务,确保客户在使用过程中得到全面保障。

    常见问题与解决方案


    1. 问:该产品的最高工作温度是多少?
    - 答:最高工作温度为150°C,适用于宽温范围应用。
    2. 问:如何改善在高负载情况下的热管理?
    - 答:建议增加散热片面积或使用液冷散热方式,同时优化PCB布局,减小寄生电感的影响。

    总结和推荐


    FCP190N60-VB凭借其出色的导通电阻、低门极电荷和雪崩能量等级,成为众多应用中的优秀选择。其高效节能的特性不仅提升了系统的整体性能,还简化了散热设计。对于追求高性能和可靠性的应用项目,强烈推荐使用FCP190N60-VB。
    如有任何疑问或需要技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

FCP190N60-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCP190N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCP190N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCP190N60-VB FCP190N60-VB数据手册

FCP190N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 13.3021
10+ ¥ 12.1144
30+ ¥ 11.436
100+ ¥ 10.0716
1000+ ¥ 9.6915
3000+ ¥ 9.5015
库存: 20
起订量: 1 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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