处理中...

首页  >  产品百科  >  K4212-VB

K4212-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: K4212-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4212-VB

K4212-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本产品为VBsemi公司推出的N-Channel 20V (D-S) 175°C MOSFET,型号为K4212。这是一款高性能的TrenchFET功率MOSFET,适用于多种工业及消费电子应用,如电源转换器、逆变器、电池充电器等。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 最大额定电流 (ID):100A(在25℃时),80A(在100℃时)
    - 最高工作温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 175°C
    - 最大源极电流 (IS):65A
    - 最大功率耗散 (PD):71W(在25℃时),8.3W(在25℃表面贴装时)
    - 热阻抗 (RthJA):40°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:具备100% Rg测试,确保每一只产品都达到最高标准。
    2. 高温适应性:能够在高达175°C的环境中稳定运行,适用于极端环境。
    3. 低导通电阻 (rDS(on)):典型值为0.0045Ω@4.5V,在大电流下依然保持较低的导通电阻。
    4. 高集成度:采用TO-252封装,方便安装且节省空间。
    5. 良好的动态性能:具有快速开关能力,适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    1. 电源转换器:作为开关元件使用,可实现高效的DC-DC转换。建议在选择散热器时考虑其热阻抗特性。
    2. 逆变器:作为关键组件用于太阳能光伏系统的逆变过程。需要注意在大电流工作时的散热管理。
    3. 电池充电器:使用其高可靠性与低导通电阻特性,提升充电效率。在长时间工作时应注意散热问题。

    兼容性和支持


    该产品与现有的多种电路板设计高度兼容,易于替换现有元器件。VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括在线资源库和客户支持热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:由于该产品具备高热阻抗特性,建议在大电流工作环境下采取有效的散热措施,如增加散热片或风扇。
    2. 驱动电压设置不当:应根据手册中的建议设置合适的驱动电压(例如4.5V),避免因电压过低导致开关损耗增加。
    3. 电流过高:在电流超过额定值时应立即切断电源,以免损坏器件。可通过增加外部限流电阻来限制最大电流。

    总结和推荐


    综合以上信息,VBsemi公司的K4212 MOSFET具有出色的性能和广泛的应用范围,特别适合需要高可靠性、高温环境适应性的场合。对于需要高效率、快速响应的系统,此产品是理想的选择。强烈推荐使用此款MOSFET以获得最佳性能和可靠性。

K4212-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 145A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4212-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4212-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4212-VB K4212-VB数据手册

K4212-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504