处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTP02N50D-VB

IXTP02N50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IXTP02N50D-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP02N50D-VB

IXTP02N50D-VB概述

    IXTP02N50D-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXTP02N50D-VB 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高功率和高频开关应用。该器件以其低栅极电荷和高可靠性著称,适用于工业控制、电源转换及驱动电路等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 最大漏源电压 \( V{DS} \) | 650V |
    | 通态电阻 \( R{DS(on)} \) | 4.0Ω(\( V{GS} = 10V \)时) |
    | 总栅极电荷 \( Qg \) | 11nC |
    | 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \) | 2.3nC |
    | 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \) | 5.2nC |
    | 绝对最大额定值 | 包括最大工作温度范围为-55°C到+150°C |
    | 动态参数 | 包括瞬态热阻抗和峰值反向恢复 \( dV/dt \)为2.8V/ns |
    | 热阻率 | 最大结点至环境的热阻为65°C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:显著减少了驱动要求,使得电路设计更加简单高效。
    - 增强的栅极、雪崩及动态 \( dV/dt \):提高了设备的鲁棒性,可在恶劣环境中稳定运行。
    - 全面表征:包括雪崩电压和电流等关键参数,确保可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS标准:环保且易于集成到现代电子产品中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业控制:用于驱动电机或电磁阀,特别是在需要高效率和紧凑设计的应用场合。
    - 电源转换:适用于高频开关电源中,作为开关管以实现高效的能量转换。
    - 驱动电路:在机器人和自动化系统中作为驱动器,提升系统的响应速度和稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:为了确保长期稳定运行,建议采用合适的散热片和良好的散热设计。
    - 驱动电路设计:考虑到低栅极电荷,设计驱动电路时可以简化,但需注意避免过高的栅极驱动电压导致的损坏。
    - 保护措施:添加必要的保护电路,如瞬态电压抑制器,以防止瞬态电压对MOSFET的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与常见的电源管理系统兼容,适用于多种平台和电路设计。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户快速上手和解决常见问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 栅极电压过高导致栅极烧毁 | 确保栅极驱动电路正常工作,限制栅极电压不超过额定值 |
    | 散热不足导致温度过高 | 使用散热片并确保良好的气流 |
    | 开关频率过高导致MOSFET失效 | 调整驱动电路,降低开关频率,确保MOSFET的最高工作温度范围不会超过|

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXTP02N50D-VB是一款性能卓越的N-Channel MOSFET,具备低栅极电荷、高可靠性和全面的电气特性。其广泛的应用场景和优秀的特性使其成为许多工业和消费电子领域的理想选择。建议用户在具体项目中考虑其技术参数和工作环境,合理选用以发挥最佳性能。
    推荐使用:由于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在高功率、高频开关应用中使用IXTP02N50D-VB。

IXTP02N50D-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP02N50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP02N50D-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP02N50D-VB IXTP02N50D-VB数据手册

IXTP02N50D-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336