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KF10N68F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: KF10N68F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF10N68F-VB

KF10N68F-VB概述

    KF10N68F Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF10N68F 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点。主要应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、以及高强度放电灯(HID)照明和荧光灯照明等领域。其独特的设计使其在工业应用中具有广泛的适用性。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): 650V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 40A (VGS at 10V)
    - 脉冲漏极电流 (a): IDM (重复率受限于最大结温)
    - 单脉冲雪崩能量 (b): EAS = 87mJ (VDD = 50V, IAS = 3.5A)
    - 最大功耗 (PD): 120W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大结到壳热阻 (RthJC): 0.6°C/W
    - 总栅电荷 (QG): 最大值为 110nC (VGS = 10V, ID = 4A)
    - 有效输出电容 (Co(er)): 最大值为 15pF (VGS = 0V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    - 低栅输入电容 (Ciss): 减少了开关损耗。
    - 超低栅电荷 (QG): 降低了栅驱动功率损耗。
    - 优化的关断延迟时间 (td(off)) 和导通延迟时间 (td(on)): 改善了开关速度。
    - 宽工作温度范围: 可在极端环境下稳定运行。
    - 高可靠性: 经过严格测试,确保在多种复杂环境中保持高性能。

    应用案例和使用建议


    KF10N68F 广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源、以及高能效的照明系统。例如,在服务器电源供应系统中,它可以帮助实现更高效的电力转换,减少能源浪费。
    - 建议: 在选择驱动电路时,需要考虑驱动器的最大耐压能力,以确保驱动器能够承受峰值电压。此外,良好的散热设计也是必要的,特别是在高温环境下工作时。

    兼容性和支持


    KF10N68F 具有良好的兼容性,可以与多种驱动器和控制器配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询,确保用户能够快速上手并充分利用该产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率不稳定
    - 解决办法: 检查驱动电路的供电稳定性,确保 VGS 电压平稳。
    2. 问题: 热管理不佳导致的失效
    - 解决办法: 改进散热设计,确保器件在额定温度范围内正常工作。
    3. 问题: 高频下的电磁干扰
    - 解决办法: 使用适当的屏蔽措施,并优化 PCB 设计以减少寄生电感。

    总结和推荐


    KF10N68F 功率 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,特别适合需要高效、高可靠性的应用场景。对于需要高效电力转换和宽工作温度范围的应用,强烈推荐使用此产品。VBsemi 提供的一流技术支持和完善的文档,使用户能够轻松部署并充分发挥该产品的潜力。

KF10N68F-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF10N68F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF10N68F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF10N68F-VB KF10N68F-VB数据手册

KF10N68F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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