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K2939L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2939L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2939L-VB

K2939L-VB概述

    K2939L-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K2939L-VB 是一款 N-Channel 60V(漏源电压)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有低栅极驱动要求、快速开关能力和逻辑电平门驱动功能,适用于多种电源转换、电机控制和负载切换的应用场景。产品采用表面贴装技术(SMT),并且提供卷带式包装,便于自动化生产线的使用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): \( \pm 20 \) V
    - 连续漏电流 \( ID \): 50A @ \( TC = 25^\circ \text{C} \)
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 200A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 150W @ \( TC = 25^\circ \text{C} \)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 400mJ
    - 接触温度范围: -55至+175°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 2.5V
    - 零栅源电压漏电流 \( I{DSS} \): 25μA @ \( V{DS} = 60 \)V, \( V{GS} = 0 \)V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 \)V 时: 0.024Ω
    - \( V{GS} = 4.5 \)V 时: 0.028Ω
    - 动态特性
    - 输入电容 \( C{iss} \): 190pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): -
    - 逆向传输电容 \( C{rss} \): -
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 12nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 43nC

    产品特点和优势


    1. 环保设计:符合RoHS指令2002/95/EC,且无卤素,符合IEC 61249-2-21标准定义。
    2. 低电阻导通特性:在10V栅源电压下,导通电阻仅0.024Ω,保证高效能。
    3. 快速开关性能:具备快切换能力,降低功耗和电磁干扰(EMI)。
    4. 高可靠性:能够承受高达400mJ的单脉冲雪崩能量。
    5. 易用性:采用SMT封装,方便自动化生产线使用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:用于各种电源管理电路,如直流-直流转换器、开关电源、以及电机驱动等应用。
    - 使用建议:
    - 在设计应用电路时,需要充分考虑散热设计以避免过热导致性能下降或损坏。
    - 确保栅极驱动信号稳定,防止过压损坏。
    - 适当限制脉冲宽度和占空比,确保不会超过器件的最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K2939L-VB 设计为可与现有系统无缝集成,适用于多种标准SMT生产流程。
    - 技术支持:VBsemi公司提供详细的资料和客户支持,包括电话热线(400-655-8788)和官方网站上的在线资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备启动时过载。
    - 解决方案:检查输入电压是否稳定,适当增加外围保护电路。

    - 问题2:工作过程中温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用更大尺寸散热片或改进散热路径。
    - 问题3:设备无法正常关断。
    - 解决方案:确认栅极驱动信号正确,且栅极-漏极电荷量足够。

    总结和推荐


    K2939L-VB MOSFET是一款高性能的N-Channel MOSFET,适合广泛的应用需求。其优秀的电气特性、快速开关能力和低导通电阻使其在电源管理和电机控制领域表现出色。建议在设计相关应用时充分考虑其特性和应用环境,以最大化其性能并延长使用寿命。总体而言,我们非常推荐这款产品给寻求高性能和可靠性的客户。

K2939L-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K2939L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2939L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2939L-VB K2939L-VB数据手册

K2939L-VB封装设计

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