处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS2N60C-O-C-N-B-VB

JCS2N60C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: JCS2N60C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60C-O-C-N-B-VB

JCS2N60C-O-C-N-B-VB概述

    JCS2N60C-O-C-N-B-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS2N60C-O-C-N-B-VB 是一款高性能的N沟道650V MOSFET,具有出色的电气特性和坚固耐用性。该产品适用于多种电源管理及转换应用,如开关电源、电机驱动系统、工业自动化设备等。凭借其低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS),它能够提供高效、可靠的电力转换性能。

    2. 技术参数


    - 击穿电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大11nC
    - 输入电容 (Ciss): 417pF
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 反向传输电容 (Crss): 5pF
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 8A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 45W
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 2.8V/ns
    - 工作结温和存储温度范围: -55°C 到 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg): 只需简单的驱动要求。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力:具有更高的可靠性。
    - 全面的电容和雪崩电压电流特性:确保更好的性能稳定性和可靠性。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC:环保材料,无铅。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:用于高效能源转换。
    - 电机驱动系统:适用于各种电动机控制应用。
    - 工业自动化设备:确保可靠的电力转换。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,应注意热管理,确保良好的散热设计以维持最佳性能。
    - 避免在极高频率下工作,以防热耗散过快导致故障。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与市场上主流的电源管理系统和其他电子组件具有良好的兼容性。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的应用指南和解决方案文档,确保用户能够轻松集成到现有的设计中。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何避免因过热而导致的损坏?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,例如使用合适的散热器并确保良好的空气流通。
    问题2:如何处理过高的瞬态电压?
    - 解决方案:使用合适的保护电路来限制瞬态电压的影响,例如TVS二极管或箝位电路。

    7. 总结和推荐


    JCS2N60C-O-C-N-B-VB 是一款非常出色的N沟道650V MOSFET,具有低栅极电荷、高击穿电压和可靠的设计。它的应用广泛,特别适合于需要高效电力转换的应用。总体而言,这款产品在性能、耐用性和可靠性方面都表现出色,强烈推荐给需要这些特性的一般应用。
    以上是对JCS2N60C-O-C-N-B-VB N-Channel 650V MOSFET 的详细解析和技术说明。希望这篇综述能够帮助您更好地理解和应用这一产品。

JCS2N60C-O-C-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60C-O-C-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60C-O-C-N-B-VB JCS2N60C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS2N60C-O-C-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504