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IPP230N06L3 G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: IPP230N06L3 G-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP230N06L3 G-VB

IPP230N06L3 G-VB概述

    IPP230N06L3 G-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP230N06L3 G-VB 是一款N沟道60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高效能开关应用设计。这款器件采用表面贴装(Surface Mount)技术,提供在Tape and Reel中的包装形式,适用于现代电子设备的高密度集成。其独特的功能包括逻辑级门驱动(Logic-Level Gate Drive)、快速切换(Fast Switching)以及无卤素制造(Halogen-free)。它符合RoHS指令(2002/95/EC),并具备出色的热阻抗和动态dv/dt额定值,使其成为各种电力转换和控制应用的理想选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 60 V
    - 门源电压(VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流(ID): 50 A @ 25 °C,TC = 100 °C时为36 A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 400 mJ
    - 最大结温(TJ): -55 °C 至 +175 °C
    - 最大结到壳电阻(RthJC): 1.0 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 60 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 零门源电压漏极电流(IDSS): 25 μA @ VDS = 60 V, VGS = 0 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.024 Ω @ VGS = 10 V, ID = 21 A
    - 输入电容(Ciss): 190 pF @ VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz
    - 输出电容(Coss): 920 pF
    - 反向转移电容(Crss): 170 pF
    - 总门电荷(Qg): 66 nC @ ID = 51 A, VDS = 48 V, VGS = 5.0 V
    - 门源电荷(Qgs): 12 nC
    - 门漏电荷(Qgd): 43 nC
    - 动态参数
    - 开启延迟时间(td(on)): 17 ns @ VDD = 30 V, ID = 51 A, Rg = 4.6 Ω
    - 上升时间(tr): 230 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 2 ns
    - 下降时间(tf): 110 ns
    - 内部漏源电感(LD): 4.5 nH
    - 内部源电感(LS): 7.5 nH
    - 反向恢复特性
    - 持续源漏二极管电流(IS): 50 A
    - 脉冲二极管正向电流(ISM): 200 A
    - 体二极管反向恢复时间(trr): 130 - 180 ns @ TJ = 25 °C, IF = 51 A, dI/dt = 100 A/μs
    - 体二极管反向恢复电荷(Qrr): 0.84 - 1.3 μC

    产品特点和优势


    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21定义,减少环境影响。
    - 逻辑级门驱动:易于控制,提高系统效率。
    - 快速切换:低开关损耗,适合高频应用。
    - RoHS合规:满足欧洲环保标准,确保电子产品安全性。
    - 动态dv/dt额定值:适应高瞬态电压环境,提高可靠性。
    - 表面贴装技术:便于自动化生产和高密度集成。

    应用案例和使用建议


    IPP230N06L3 G-VB 在多种应用中表现出色,例如电源管理、电机控制、逆变器及开关电源等。它特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。建议在使用时注意散热管理,以确保最佳性能。例如,在高功率应用中,可以考虑使用散热片或散热板来降低工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    IPP230N06L3 G-VB 与市场上主流的电路板和电源模块具有良好的兼容性。制造商VBsemi提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品培训、样品申请和技术文档支持。客户还可以通过官方热线400-655-8788获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:连续漏极电流(ID)限制是什么?
    - 解答:IPP230N06L3 G-VB 的连续漏极电流在25 °C时为50 A,在100 °C时降至36 A。建议在高温环境下使用时进行热管理和散热设计。
    - 问题:如何正确连接IPP230N06L3 G-VB?
    - 解答:确保正确的门源电压(VGS)和漏源电压(VDS)范围。遵循制造商提供的典型应用电路图,并参考相关图表(如图10a、10b)进行测试。

    总结和推荐


    IPP230N06L3 G-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 凭借其出色的性能参数、快速的开关速度和兼容性强的特点,成为了高效能开关应用的理想选择。对于需要高性能和可靠性的项目,我们强烈推荐使用IPP230N06L3 G-VB。该产品不仅符合严格的环保标准,还提供了广泛的应用支持和维护服务,确保客户能够充分利用其优势。

IPP230N06L3 G-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP230N06L3 G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP230N06L3 G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP230N06L3 G-VB IPP230N06L3 G-VB数据手册

IPP230N06L3 G-VB封装设计

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20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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型号 价格(含增值税)
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