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VSO013N08MS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,14A,RDS(ON),10mΩ@10V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: VSO013N08MS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VSO013N08MS-VB

VSO013N08MS-VB概述


    产品简介


    VSO013N08MS N-Channel 80V Super Trench Power MOSFET
    VSO013N08MS 是一款由VBsemi公司生产的高性能 N-Channel 80V(D-S)超级沟槽功率 MOSFET。这款器件采用了先进的Super Trench技术,旨在满足高频开关和同步整流的应用需求。主要应用领域包括直流-直流转换器和其他高效率电力转换系统。

    技术参数


    - 最大电压 (VDS): 80V
    - 最大漏源电流 (ID): 12A (TC=25°C),7A (TC=125°C)
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 最大脉冲漏源电流 (IDM): 67A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 50A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 125mJ
    - 最大功耗 (PD): 7.1W (TC=25°C),2.3W (TC=125°C)
    - 工作温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 热阻 (RthJA): 80°C/W (PCB安装)
    - 输入电容 (Ciss): 2531pF 至 3165pF
    - 输出电容 (Coss): 382pF 至 480pF
    - 反向传输电容 (Crss): 153pF 至 195pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 45nC 至 68nC

    产品特点和优势


    VSO013N08MS 的关键优势包括:
    - Super Trench技术:提供了低导通电阻(Rds(on)),非常适合高频开关应用。
    - 低导通电阻 (Rds(on)):在VGS=10V时仅为0.010Ω,在VGS=6V时为0.012Ω。
    - 100% Rg和UIS测试:确保器件在极端条件下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    VSO013N08MS 广泛应用于各种直流-直流转换器,特别适合于高效率电力转换系统。例如,在太阳能逆变器或通信电源模块中使用,可以显著提高系统的能效。
    使用建议:
    - 在设计时应考虑器件的热管理,尤其是在高温环境下使用时。
    - 建议在实际应用前进行详细的模拟和测试,以验证器件在具体电路中的表现。

    兼容性和支持


    VSO013N08MS 可与多种电路板和组件兼容,适用于标准SO-8封装。VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利集成该器件。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确处理过压情况?
    - 解决方案:确保系统设计时留有足够的安全裕度,避免超过器件的最大额定电压。如果系统经常处于极限条件下,考虑增加外部保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)。
    问题2:器件发热问题如何处理?
    - 解决方案:合理设计散热路径,如使用散热片或散热风扇,并确保良好的PCB布局,减少热阻。同时,选择合适的驱动电路以降低器件的工作温度。

    总结和推荐


    VSO013N08MS是一款性能优越、可靠性高的N-Channel 80V Super Trench Power MOSFET。其低导通电阻和高频开关能力使其成为高效率电力转换系统中的理想选择。总体来看,推荐将VSO013N08MS用于需要高可靠性和高效能的应用场合。

VSO013N08MS-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 14A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

VSO013N08MS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VSO013N08MS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VSO013N08MS-VB VSO013N08MS-VB数据手册

VSO013N08MS-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
4000+ ¥ 2.3759
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