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JCS2N60V-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N60V-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60V-VB

JCS2N60V-VB概述

    JCS2N60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS2N60V 是一款 N-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于电源管理和转换系统中。其主要功能包括高效的电流开关控制和低导通电阻(RDS(on))。该器件广泛应用于服务器电源、通信电源和工业控制等领域。

    技术参数


    以下是 JCS2N60V 的关键技术和性能参数:
    - 工作电压:VDS (Drain-Source Voltage) 高达 650V
    - 漏源导通电阻:RDS(on) 最大值为 4.0Ω(在 VGS = 10V,ID = 1A 下)
    - 总栅极电荷:Qg (Max.) 为 11nC
    - 输入电容:Ciss 在 VGS = 0V 和 VDS = 25V 下最大为 417pF
    - 输出电容:Coss 在 VGS = 0V 和 VDS = 1.0V 下最大为 912pF
    - 反向转移电容:Crss 最大为 5pF
    - 单脉冲雪崩能量:EAS 为 165mJ
    - 最大工作温度:TJ, Tstg 范围为 -55°C 至 +150°C
    - 封装:IPAK (TO-251)
    - 兼容性:符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于无卤素标准 JS709A

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:JCS2N60V 的低栅极电荷(Qg)意味着其驱动要求简单,适合高频应用。
    2. 高可靠性和耐用性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性使得其在极端工作条件下表现优异。
    3. 全面的电气特性:完全表征的电容和雪崩电压电流特性,确保了产品的高性能和稳定性。
    4. 安全性和环保:符合RoHS指令和无卤素标准,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    JCS2N60V 适用于多种应用场合,如服务器电源和通信电源。例如,在一个典型的服务器电源设计中,JCS2N60V 可以用于实现高效和可靠的直流到直流转换。使用时应注意:
    - 散热管理:确保良好的散热设计,特别是在高电流应用中。
    - 驱动电路设计:适当选择栅极电阻(RG)以优化开关性能。
    - 电路布局:减少寄生电感,提高整体性能和可靠性。

    兼容性和支持


    JCS2N60V 与标准 IPAK 封装兼容,支持与其它同类产品互换。制造商提供详细的技术文档和支持,包括详细的电气特性曲线和应用笔记,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极电压不稳定:确保驱动电路稳定,检查驱动信号波形,避免信号干扰。
    2. 过热问题:增加散热片或采用更好的散热设计,确保良好的散热路径。
    3. 击穿电压不足:检查接线和负载是否正确连接,确保器件工作在额定范围内。

    总结和推荐


    JCS2N60V N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,具有优秀的电气特性和广泛的适用性。无论是从技术指标还是应用灵活性来看,它都是一款值得推荐的产品。对于需要高可靠性和高效率的电源管理应用,JCS2N60V 是一个理想的选择。

JCS2N60V-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60V-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60V-VB数据手册

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JCS2N60V-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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