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JCS18N50FH-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: JCS18N50FH-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS18N50FH-O-F-N-B-VB

JCS18N50FH-O-F-N-B-VB概述

    # JCS18N50FH-O-F-N-B-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    JCS18N50FH-O-F-N-B-VB 是一款高性能的N沟道650V(D-S)超级结功率MOSFET。这类器件广泛应用于多种电源管理和照明控制领域。它们的主要功能是实现高效的电能转换,减少系统损耗,并提高整体能效。
    主要功能:
    - 低损耗特性
    - 高可靠性和稳定性
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应(PFC)
    - 照明系统(如高亮度放电灯、荧光灯镇流器)
    - 工业设备

    技术参数


    以下是JCS18N50FH-O-F-N-B-VB的技术参数摘要:
    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 (VDS) | 650 V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.19 Ω (VGS = 10 V) |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 106 nC |
    | 输入电容 (Ciss) | 2322 pF |
    | 输出电容 (Coss) | 105 pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | 4 pF |
    | 反向恢复时间 (trr) | 160 ns |
    | 反向恢复电荷 (Qrr) | 1.2 μC |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低FOM(品质因数):低Ron x Qg值减少了开关和导通损耗。
    - 低输入电容:低Ciss减小了栅极充电需求,有助于提高效率。
    - 超低栅极电荷:低Qg进一步降低了开关损耗。
    市场竞争力
    JCS18N50FH-O-F-N-B-VB 在同类产品中表现出色,因其具备卓越的热管理能力和低损耗特性,在高频和高功率应用中具有明显优势。此外,其优异的抗浪涌能力和可靠性能使其成为电源管理应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    - 服务器和电信电源供应:用于提升服务器电源的效率和可靠性。
    - 开关模式电源供应(SMPS):适用于各种消费电子设备,提高转换效率。
    - 工业照明:用于工业环境下的高功率LED照明,提供稳定可靠的供电。
    使用建议
    - 散热设计:在高负载条件下,确保良好的散热设计以防止过热。
    - 栅极驱动电路:使用适当的栅极驱动电路以优化开关速度和减少损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    JCS18N50FH-O-F-N-B-VB 支持广泛的电路设计,可与现有的电源管理系统无缝集成。由于其标准化引脚布局,它能够轻松替代其他品牌或型号的MOSFET。
    厂商支持
    台湾VBsemi公司为该产品提供全面的技术支持和维护服务。如有任何疑问或技术支持需求,可随时联系他们的客户服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题及解决方案
    - 问题:在高负载下温度过高
    - 解决方案:增加散热片或采用更有效的散热设计,如风扇冷却系统。
    - 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查并优化栅极驱动电路的设计,确保栅极电阻合适。
    - 问题:效率低于预期
    - 解决方案:重新评估系统设计,确保所有组件都符合要求,并优化电路布局以减少寄生效应。

    总结和推荐


    综合评估
    JCS18N50FH-O-F-N-B-VB 在技术规格和性能上均表现出色,特别适合需要高效能、低损耗的应用场合。它的高可靠性、出色的热管理能力和多种保护功能使其在市场上具备强大的竞争力。
    推荐
    强烈推荐使用JCS18N50FH-O-F-N-B-VB,尤其是在需要高能效和可靠性的电源管理和工业控制应用中。台湾VBsemi公司提供的优质服务和支持进一步增强了其市场吸引力。

JCS18N50FH-O-F-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS18N50FH-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS18N50FH-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS18N50FH-O-F-N-B-VB JCS18N50FH-O-F-N-B-VB数据手册

JCS18N50FH-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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