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K2542-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: K2542-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2542-VB

K2542-VB概述

    K2542-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    K2542-VB 是一款 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement MOSFET)。它具备较低的门极电荷(Qg),从而简化了驱动要求。K2542-VB 在门极、雪崩和动态 dv/dt 方面具有更高的鲁棒性。该产品适用于多种电力转换和驱动控制电路,例如直流到交流逆变器、电机控制和电源管理等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压(VDS):500 V
    - 最大连续漏极电流(ID):8.1 A(在 100°C 时)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):50 A
    - 最高功耗(PD):250 W(在 25°C 时)
    - 结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大结壳热阻(RthJC):0.50°C/W
    - 绝对最大温度(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 静态参数
    - 栅源开启电压(VGS(th)):2.0 V 至 4.0 V
    - 置零栅源漏电流(IDSS):25 μA
    - 栅源漏电阻(RDS(on)):0.660 Ω(在 10 V VGS 下)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):最大 1910 pF
    - 输出电容(Coss):最大 2730 pF
    - 门极总电荷(Qg):最大 81 nC
    - 门极源电荷(Qgs):20 nC
    - 门极漏电荷(Qgd):36 nC

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:这降低了驱动需求,简化了设计并减少了功耗。
    - 卓越的鲁棒性:增强了在门极、雪崩和动态 dv/dt 环境下的性能稳定性。
    - 全特性测试:该器件经过全面的门极、雪崩和电压测试,确保了其可靠性和耐用性。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令的要求。

    应用案例和使用建议


    K2542-VB 可用于需要高效率和鲁棒性的应用场景,如电机驱动、直流到交流逆变器及开关电源等。具体应用实例包括:
    - 在电机控制电路中,由于其快速开关能力和高耐压性,可以显著提升系统整体性能。
    - 在直流到交流逆变器中,低门极电荷特性有助于降低驱动电路复杂度,减少能量损耗。
    - 在电源管理系统中,其较高的功率处理能力使其能够有效应对高负载环境。
    使用建议:
    - 确保设计中的散热措施充分,以避免因过热导致的故障。
    - 考虑到门极电荷较低的特点,选择适当的驱动电路和元器件来匹配K2542-VB的工作特性。

    兼容性和支持


    K2542-VB 与市场上常见的其他电子元件具有良好的兼容性,适用于广泛的电源管理系统和其他电子电路。制造商提供了详尽的技术支持文档,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何避免过热损坏?
    A:确保使用合适的散热片和冷却系统,特别是在高电流环境下运行时。
    - Q:如何正确测试K2542-VB?
    A:参考手册中的测试电路图进行测试,使用正确的参数和工具来测量相关电气特性。

    总结和推荐


    K2542-VB 是一款出色的N沟道增强型MOSFET,其显著特点是低门极电荷、高鲁棒性以及可靠的电气特性。在多种电力转换和驱动控制应用中,其优越的性能能够显著提升系统的效率和稳定性。因此,强烈推荐K2542-VB用于各类高要求的电力电子设计项目。

K2542-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 13A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2542-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2542-VB数据手册

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K2542-VB封装设计

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