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JCS7N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS7N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N60F-VB

JCS7N60F-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用在电力电子领域的高性能电子元器件。它以其低导通电阻和高耐压能力而著称,特别适用于各种高效率电源转换和控制场合。Power MOSFET的主要功能是在电路中作为开关,通过控制栅极电压来实现对电流的精确控制。它广泛应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明设备(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)以及工业控制系统等领域。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 650V(TJ max.)
    - 导通电阻(RDS(on)): 最大值为1Ω(VGS = 10 V,TJ = 25 °C)
    - 总栅极电荷(Qg): 最大值为12 nC(VGS = 10 V,ID = 4 A)
    - 栅源电荷(Qgs): 9.1 nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 13.8 nC
    - 反向恢复时间(trr): 最大值为190 ns(TJ = 25 °C,IF = IS = 4 A,dI/dt = 100 A/μs,VR = 400 V)
    - 反向恢复电荷(Qrr): 2.3 μC

    产品特点和优势


    - 低损耗: Power MOSFET具有低导通电阻和低栅极电荷,从而减少了在开关过程中的损耗。
    - 高可靠性: 高耐压能力和重复脉冲冲击能量(EAS)使得该产品能够在恶劣环境下稳定工作。
    - 快速响应: 具有低反向恢复时间和低反向恢复电荷,有助于提高系统的响应速度和效率。
    - 广泛的应用: 可应用于多种高要求的电力电子系统,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源系统: 用于高功率密度电源系统中,提升整体能效。
    - 开关模式电源供应器(SMPS): 适用于高效率和低损耗的电源设计。
    - 荧光灯镇流器: 提高灯具的效率并减少能耗。
    使用建议
    - 散热管理: 确保良好的散热管理,避免过热导致的性能下降。
    - 合适的驱动电路: 选择合适的驱动电路以确保栅极驱动信号的正确传输。
    - 布局设计: 注意电路板上的布局设计,减少寄生电感和阻抗的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: Power MOSFET与现有的大多数电路设计兼容,易于集成到现有系统中。
    - 厂商支持: 制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助客户进行应用开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高时出现异常发热。
    - 解决方案: 检查电路设计和散热系统,必要时降低开关频率或增加散热措施。
    - 问题2: 在高频应用中发现过大的漏电流。
    - 解决方案: 检查栅极驱动信号的质量,并考虑使用更高级别的驱动电路。

    总结和推荐


    总体来看,Power MOSFET在电力电子应用中的表现优异,具备低损耗、高可靠性等显著特点。对于需要高效率和高可靠性的应用场景,推荐使用此产品。此外,制造商提供的详细技术文档和支持也使得其易于集成和调试,进一步提升了其市场竞争力。

JCS7N60F-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N60F-VB JCS7N60F-VB数据手册

JCS7N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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09N50I-VB ¥ 4.2759
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15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336