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R5013ANX-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: R5013ANX-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) R5013ANX-VB

R5013ANX-VB概述

    电子元器件技术手册:N-Channel 550V Power MOSFET

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司的N-Channel 550V Power MOSFET(型号为R5013ANX)。该MOSFET是适用于消费电子、服务器和电信电源供应、工业应用、电池充电器及开关模式电源(SMPS)领域的高性能产品。通过优化设计和操作效率,这款MOSFET不仅能够提供高可靠性,还能满足各种不同的应用需求。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格:
    - 工作电压(VDS): 最大550V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)): 25°C时最大0.26Ω
    - 总栅极电荷(Qg): 最大150nC
    - 输入电容(Ciss): 最大3094pF
    - 输出电容(Coss): 最大152pF
    - 反向传输电容(Crss): 最大13pF
    - 持续漏电流(ID): 25°C时18A,100°C时11A
    - 脉冲漏电流(IDM): 56A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 281mJ
    - 工作环境温度范围(TJ, Tstg): -55°C至+150°C
    - 最大功耗(PD): 60W

    产品特点和优势


    该MOSFET具备多项独特功能和优势,包括:
    - 低面积特异性导通电阻:优化设计以减少面积占用。
    - 低输入电容(Ciss):减小了栅极驱动损耗。
    - 减少容性开关损耗:加快开关速度,提高能效。
    - 强大的体二极管坚固性:提高了可靠性。
    - 高雪崩能量等级(UIS):提供更高的安全性和稳定性。
    - 低栅极驱动电路复杂度:简化了系统设计。
    - 快速开关:加快响应速度,降低热损失。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于多个领域:
    - 消费电子:如液晶显示器或等离子电视。
    - 服务器和电信电源供应:如SMPS。
    - 工业:如焊接、感应加热、电机驱动。
    - 电池充电器:提供稳定可靠的电力管理。
    - SMPS:包括功率因数校正(PFC)。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议保持较低的环境温度以避免过热。
    - 确保驱动电路的正确配置,以充分利用MOSFET的高效能。

    兼容性和支持


    VBsemi公司提供了详细的文档和技术支持,包括设计指南和常见问题解答。该MOSFET与市面上多种电源管理和控制模块兼容,适合各类应用。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题: MOSFET出现异常高温。
    - 解决方案: 检查散热器是否正常安装并有足够的散热能力。同时检查负载电流是否超过额定值。
    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路是否接线正确,确保栅极驱动电阻符合规范要求。
    - 问题: 雪崩击穿现象。
    - 解决方案: 确保MOSFET的工作条件在规定范围内,避免超出绝对最大额定值。

    总结和推荐


    VBsemi的N-Channel 550V Power MOSFET(R5013ANX)是一款高性能、高可靠性的产品。其独特的设计和卓越的性能使其成为消费电子、工业应用和电源管理领域的理想选择。强烈推荐给需要高效能MOSFET的工程师和制造商。

R5013ANX-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

R5013ANX-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

R5013ANX-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 R5013ANX-VB R5013ANX-VB数据手册

R5013ANX-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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