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FQPF4N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FQPF4N65-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF4N65-VB

FQPF4N65-VB概述

    FQPF4N65-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQPF4N65-VB 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),设计用于工业控制、电源转换系统、照明系统和其他需要高效率和稳定性的应用领域。该产品的工作电压为650V,具有低导通电阻(RDS(on)),并且完全符合RoHS标准。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    - 工作电压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω (VGS = 10V)
    - 总栅极电荷 (Qg(Max)): 48nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 12nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 19nC
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 18A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6mJ
    - 最大功耗 (PD): 30W (TC = 25°C)
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 热阻 (RthJC): 2.1°C/W

    3. 产品特点和优势


    FQPF4N65-VB 拥有多项显著的技术优势:
    - 低栅极电荷 (Qg):低栅极电荷使得驱动要求简单,降低了电路复杂度。
    - 坚固耐用:改善的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐受能力提高了可靠性。
    - 全面特性化:完全标定的电容和雪崩电压及电流确保了产品的稳定性。
    - RoHS兼容:符合RoHS标准,适用于环保需求严格的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    FQPF4N65-VB 广泛应用于多种领域,例如工业自动化、开关电源和电动机驱动系统。针对这些应用场景,以下是一些建议:
    - 在工业自动化中,可以利用其高可靠性和低功耗特性提高系统的整体效率。
    - 在开关电源中,其低栅极电荷有助于简化电路设计,降低功耗。
    - 在电动机驱动系统中,高耐压能力和雪崩性能使其能够在恶劣环境下稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    FQPF4N65-VB 与多种标准组件兼容,可方便集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持和售后维护服务,以确保产品性能和长期稳定性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过温保护?
    解决方案:监测并限制漏极电流,避免达到最大功耗极限。参考手册中的温度曲线图进行设计。
    - 问题:雪崩耐受性不足怎么办?
    解决方案:选择合适的外部电路保护措施,如增加外部箝位二极管或限流电阻。
    - 问题:如何降低栅极振荡?
    解决方案:合理布局电路,减小寄生电感,并使用合适的栅极驱动电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQPF4N65-VB MOSFET 是一款高效可靠的功率器件,具备出色的性能和广泛的适用范围。其低栅极电荷和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。强烈推荐在工业控制系统、电源管理和电动机驱动系统中使用这款产品。
    联系方式
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

FQPF4N65-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF4N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF4N65-VB数据手册

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FQPF4N65-VB封装设计

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