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K3766-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3766-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3766-VB

K3766-VB概述


    产品简介


    K3766-VB是一款N沟道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压和高效率的应用设计。这款MOSFET因其低门极电荷和增强的耐用性而在工业和电力转换领域得到广泛应用。其独特的结构设计使得它能够承受较高的雪崩能量和快速的dv/dt变化,从而确保了其在恶劣环境下的可靠运行。

    技术参数


    - 主要电气参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2.0-4.0 V
    - 最大门极源极电压 (VGS): ±30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 3.8 A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 18 A
    - 最高工作温度 (TJ): 150 °C
    - 最高安全操作温度 (Tstg): -55 至 +150 °C
    - 最大结到散热片热阻 (RthJC): 2.1 °C/W
    - 最大结到空气热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 最大功耗 (PD): 30 W (TC = 25 °C)
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 80 pF
    - 输出电容 (Coss): 1912 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 7.0 pF
    - 其他参数
    - 总门极电荷 (Qg): 48 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 12 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 19 nC
    - 开关时间参数
    - 导通延迟时间 (td(on)): 4 ns
    - 上升时间 (tr): 20 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34 ns
    - 下降时间 (tf): 18 ns

    产品特点和优势


    K3766-VB具有以下几个显著特点和优势:
    1. 低门极电荷 (Qg):低门极电荷意味着驱动要求简单,可以减少驱动电路的成本和复杂度。
    2. 增强的耐久性:改进的门极、雪崩和dv/dt耐久性使其能够在极端条件下稳定工作。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压及电流:提供详细的电容和雪崩特性数据,便于设计者进行精确计算。
    4. 符合RoHS标准:产品符合欧盟环保指令,保证环保要求,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    K3766-VB广泛应用于各种工业电源、电机控制、焊接设备和逆变器等领域。例如,在一个高压逆变器系统中,K3766-VB可以作为主控开关,确保系统的高效稳定运行。
    使用建议:
    1. 在设计电路时,需要特别关注散热问题,以确保MOSFET在高负载情况下仍能正常工作。
    2. 选择合适的栅极电阻和驱动电路,以减小门极电荷带来的影响,确保系统响应速度。
    3. 考虑使用并联多个MOSFET以分担电流,提高系统的可靠性。

    兼容性和支持


    K3766-VB与其他常用的电子元器件和设备具有良好的兼容性,例如在一些电源转换模块中,它可以无缝替换其他品牌的产品。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括在线培训和售后技术支持,帮助用户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高负载下过热
    解决方案:确保使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以改善散热效果。

    2. 问题:电路启动困难
    解决方案:检查驱动电路的设置,确认门极电阻选择合理,确保足够的驱动电流。

    3. 问题:MOSFET损坏
    解决方案:确保电路设计满足MOSFET的绝对最大额定值要求,避免过载或电压突变。

    总结和推荐


    K3766-VB N沟道650V功率MOSFET凭借其卓越的电气性能、增强的耐久性和广泛的适用范围,是一款非常值得推荐的高性能电子元件。它不仅能满足现代工业和电力转换领域对高效率和可靠性的要求,还具有易于集成和低成本的优势。如果您正在寻找一款适用于高压和高电流应用的MOSFET,K3766-VB无疑是您的理想选择。

K3766-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K3766-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3766-VB数据手册

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K3766-VB封装设计

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500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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