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K1429-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K1429-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1429-VB

K1429-VB概述

    K1429-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1429-VB 是一款 N-Channel 100-V(漏源)MOSFET,采用 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。它特别适用于各种高可靠性电力电子应用,如电机驱动、电源管理和通信设备等。其独特的设计使其能够在广泛的温度范围内工作,并提供低热阻封装,从而确保长时间运行时的稳定性。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 100 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 55 A (TJ = 175 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 35 A
    - 最大耗散功率 (PD): 127 W (TJ = 25 °C),3.75 W (TA = 25 °C)
    - 工作结温范围: -55 至 175 °C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 100 V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1 至 3 V
    - 漏电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 100 V, VGS = 0 V)
    - 导通状态漏电流 (ID(on)): 75 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 45 pF
    - 输出电容 (Coss): 270 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 90 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 35 至 60 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 11 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 9 nC
    - 瞬态响应
    - 开启延迟时间 (td(on)): 11 至 20 ns
    - 上升时间 (tr): 12 至 20 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 30 至 45 ns
    - 下降时间 (tf): 12 至 20 ns
    - 结至散热片电阻 (RthJC): 1.4 °C/W
    - 结至环境电阻 (RthJA): 40 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: K1429-VB 具有 175 °C 的结温耐受能力,确保在极端环境下的稳定运行。
    - 低热阻: 通过采用 TrenchFET® 技术,K1429-VB 实现了低热阻封装,有助于提高散热性能,延长使用寿命。
    - 高电流处理能力: 支持高达 55 A 的连续漏极电流,适合于高电流应用场景。
    - 优化设计: 具有良好的开关性能,确保在高频应用中表现优异。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: K1429-VB 在电机驱动和开关电源中得到了广泛应用。例如,在电动汽车的电池管理系统中,它可以作为关键的功率转换组件,确保系统的高效运行。
    - 使用建议: 在使用 K1429-VB 时,应注意电路板的设计要保证良好的散热,特别是在高负载条件下。同时,合理设置栅极驱动电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K1429-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于与其他电子元器件集成。此外,其电气特性与市场上主流的 MOSFET 元件高度兼容。
    - 支持: 客户可以通过制造商的服务热线(400-655-8788)获取技术支持,包括产品选型指导、电路设计咨询和技术文档下载等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗较高,如何降低?
    - 解决方案: 选择合适的栅极驱动电阻 (RG),并优化电路布局,确保良好的散热条件。
    - 问题2: 过热导致器件损坏,如何避免?
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,可以使用散热片或散热器,并适当增加 PCB 面积以增强散热效果。

    7. 总结和推荐


    K1429-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种电力电子应用。其优秀的电气特性和高效的热管理能力使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐使用 K1429-VB 来实现高效可靠的电力转换和控制。

K1429-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 55A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1429-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1429-VB数据手册

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K1429-VB封装设计

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