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IPB100N06S3L-03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IPB100N06S3L-03-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB100N06S3L-03-VB

IPB100N06S3L-03-VB概述

    # IPB100N06S3L-03-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IPB100N06S3L-03-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V(D-S)MOSFET晶体管。它属于平面沟槽式功率MOSFET,适用于广泛的电力电子应用领域。这款MOSFET具有高可靠性和低热阻的封装设计,特别适合用于电源管理、电动机驱动和其他电力控制场合。

    技术参数


    以下是IPB100N06S3L-03-VB的主要技术参数:
    - 漏极-源极电压 (VDS):60V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V时:0.0025Ω
    - VGS = 4.5 V时:0.0070Ω
    - 连续漏极电流 (ID):270A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):600A
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25 °C 时:375W
    - TC = 125 °C 时:125W
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压 (VDS):60V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时:270A
    - TC = 125 °C 时:125A
    - 工作结温范围:-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    IPB100N06S3L-03-VB 的主要特点是其采用的平面沟槽式TrenchFET结构,能够提供低导通电阻(RDS(on)),同时具有优良的热阻特性。这使得它在电力管理和高效率电路设计中表现优异。此外,由于其具备100% Rg和UIS测试,保证了其在极端条件下的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电器和各类开关电源设计中。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能电路的理想选择。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热措施以确保器件正常工作。
    - 对于频繁开关的应用,应注意其脉冲电流和能量限制,避免过载。

    兼容性和支持


    该器件与标准的TO-263封装兼容,可以方便地安装在标准PCB上。制造商提供了详细的技术支持和售后服务,包括用户指南和技术咨询,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 温度过高导致过热
    - 解决办法:确保使用适当的散热器和良好的散热设计。
    2. 电流超过额定值
    - 解决办法:检查电路设计并使用合适的限流电阻。
    3. 器件损坏
    - 解决办法:确认所有连接正确无误,避免反向电压和静电损坏。

    总结和推荐


    综上所述,IPB100N06S3L-03-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道60V MOSFET,特别适用于各种电力电子应用。其低导通电阻和良好的热阻特性使其在高电流和高效率应用中表现出色。强烈推荐该产品用于要求高性能和可靠性的应用场景。如果您需要进一步的技术支持或详细的使用说明,请联系VBsemi的客户服务团队。

IPB100N06S3L-03-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 270A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB100N06S3L-03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB100N06S3L-03-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB100N06S3L-03-VB IPB100N06S3L-03-VB数据手册

IPB100N06S3L-03-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.2195
100+ ¥ 5.7588
500+ ¥ 5.5284
800+ ¥ 5.2981
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