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JCS8N60F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: JCS8N60F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N60F-O-F-N-B-VB

JCS8N60F-O-F-N-B-VB概述

    JCS8N60F-O-F-N-B-VB 电子元器件技术手册

    产品简介


    JCS8N60F-O-F-N-B-VB 是一种高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。其独特的低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),使得它在服务器、电信电源供应、开关模式电源供应、功率因数校正电源供应及照明(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)等应用中表现卓越。此外,它也广泛应用于工业设备。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.882 | Ω |
    | 最大漏源电流(ID) | 178/156/53 | A |
    | 零栅极电压漏源电流(IDSS) | ≤1μA | A |
    | 输入电容(Ciss) | ≤10nF | nF |
    | 门电荷(Qg) | ≤35nC | nC |
    | 最大功耗(PD) | 178 | W |
    | 最大峰值结温(Tj) | 150 | °C |
    | 逆向恢复时间(trr) | ≤190 | ns |
    | 反向恢复电荷(Qrr) | ≤2.3 | μC |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):显著减少开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):降低门极驱动损耗。
    - 超低导通电阻(RDS(on)):提高效率。
    - 重复脉冲耐受能力:增强耐用性。
    - 快速开关速度:适合高频率应用。

    应用案例和使用建议


    JCS8N60F-O-F-N-B-VB 在高频应用中表现出色,如电信和服务器电源,因为它能有效减少发热和提升效率。对于照明系统,其优良的电容特性和低开关损耗可以改善能量传输的效率。在工业环境中,此产品同样适用于需要高可靠性的场景。
    建议在使用过程中考虑散热设计以确保最佳性能,并避免过高的温度导致器件损坏。

    兼容性和支持


    JCS8N60F-O-F-N-B-VB 与现有的大多数标准电路板布局兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持文档,包括电路设计指南、常见问题解答以及售后服务热线 400-655-8788,帮助客户更好地了解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 确保电路布局中无明显寄生电感,优化门极电阻值。 |
    | 温度过高 | 改进散热设计,增加外部散热片或使用散热膏。 |
    | 输出电流不稳定 | 确认连接线和焊接点无虚焊,检查负载特性。 |

    总结和推荐


    综上所述,JCS8N60F-O-F-N-B-VB 功率MOSFET以其卓越的性能和广泛应用的适应性,在多个关键领域内具有极强的市场竞争力。鉴于其出色的热稳定性和高效的开关特性,我们强烈推荐在高要求的电力转换和控制应用中采用该产品。如果您需要更多技术支持,请联系我们的服务热线 400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com。

JCS8N60F-O-F-N-B-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N60F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N60F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N60F-O-F-N-B-VB JCS8N60F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS8N60F-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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