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QM09N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: QM09N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM09N65F-VB

QM09N65F-VB概述


    产品简介


    QM09N65F 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,属于 Power MOSFET 系列。它具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能够显著降低开关损耗和传导损耗。这款产品广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)及照明等领域,包括高强光灯(HID)和荧光灯镇流器照明等。

    技术参数


    以下是QM09N65F的关键技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大持续漏极电流(ID):7.0 A (TC = 25 °C), 5.6 A (TC = 100 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):30 A
    - 最大雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大总功耗(PD):94 W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):63 °C/W
    - 静态漏源击穿电压(VDS):650 V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.5 - 5 V
    - 零门压漏极电流(IDSS):1 μA
    - 导通电阻(RDS(on)):1 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 输入电容(Ciss):120 pF
    - 输出电容(Coss):未指定
    - 有效输出电容(Co(er)):未指定
    - 门总电荷(Qg):28 nC
    - 门源电荷(Qgs):11.1 nC
    - 门漏电荷(Qgd):12 nC
    - 开启延迟时间(td(on)):未指定
    - 关断延迟时间(td(off)):未指定
    - 正向二极管电流(ISM):未指定
    - 反向恢复时间(trr):190 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):2.3 μC

    产品特点和优势


    QM09N65F 具有多项独特的功能和优势:
    - 低功耗:低 RON 和 QG 使器件具备出色的能效表现,适合对能耗敏感的应用。
    - 快速开关性能:低输入电容(Ciss)和极低的门电荷(Qg)使得开关损耗显著减少,提高工作效率。
    - 高可靠性:高重复雪崩能量(EAS)使其能够在高压环境中稳定工作。
    - 高安全性:严格的绝对最大额定值确保器件在极端条件下的安全运行。

    应用案例和使用建议


    QM09N65F 在多种应用场景中表现出色,例如:
    - 电源管理:服务器和电信电源供应中使用 QM09N65F 可以显著提升整体系统效率。
    - 工业控制:工业设备如电机驱动和变频器可以利用 QM09N65F 的低损耗特性,提高整体性能和效率。
    - 照明:在 HID 和荧光灯镇流器中使用 QM09N65F 可以实现更高效的光输出。
    使用建议:
    - 热管理:考虑到其高功率损耗,设计时需要重视热管理,确保散热良好。
    - 布局优化:在 PCB 设计中应避免高引线电感,采用大面积接地平面以降低寄生效应。

    兼容性和支持


    QM09N65F 与其他电子元器件具有良好的兼容性,并且供应商提供全面的技术支持和服务。用户可以通过台湾VBsemi官方服务热线(400-655-8788)获取详细的产品文档和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何测量 QM09N65F 的门电荷(Qg)?
    - 解决方案:参照产品手册中的测试电路进行测量,注意设置正确的电压和电流条件。
    2. 问题:器件的最大雪崩能量(EAS)是多少?
    - 解决方案:查阅技术规格中的 EAS 参数,了解其具体数值为 97 mJ。
    3. 问题:在高湿度环境下,器件的可靠性如何?
    - 解决方案:确保封装符合RoHS和无卤素标准,并遵循供应商提供的防潮措施。

    总结和推荐


    QM09N65F 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,在能效、可靠性等方面表现出色,尤其适用于高要求的应用环境。其低功耗、高可靠性和广泛的应用范围使其成为电源管理和工业控制领域的理想选择。因此,我们强烈推荐此产品给对性能有较高要求的设计工程师和制造商。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,可联系台湾VBsemi的官方服务热线(400-655-8788)。

QM09N65F-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM09N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM09N65F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM09N65F-VB QM09N65F-VB数据手册

QM09N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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