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QM0016S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,9A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: QM0016S-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM0016S-VB

QM0016S-VB概述

    # N-Channel 100V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    基本信息
    N-Channel 100V MOSFET 是一款高性能功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效开关应用设计。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热稳定性,非常适合应用于高效率电源转换系统、通信设备和工业自动化等领域。
    主要功能
    - 支持高开关频率,有效降低功耗。
    - 极低的栅极电荷(Qg),减少开关损耗。
    - 高可靠性,适用于恶劣的工作环境。
    应用领域
    - 主要侧边开关(Primary Side Switch)
    - 开关电源
    - 稳压电路
    - 驱动电路

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDS 100 V |
    | 持续漏极电流 | ID 9 A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 | IAS 30 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 导通电阻 | RDS(on) 32 mΩ |
    | 热阻抗 | RthJA | 33 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    特点
    1. 低栅极电荷(Qg):有效降低开关损耗,提高效率。
    2. 高可靠性测试:100% Rg和雪崩测试,确保产品质量。
    3. 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,环保友好。
    优势
    - 极佳的热管理能力,适合高功率密度设计。
    - 出色的开关性能,提升系统整体效率。
    - 广泛的温度适应性,适用于多种工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在一个典型的开关电源设计中,该MOSFET被用作主侧开关,能够显著降低系统的总能耗。
    - 在电机驱动电路中,其快速开关特性和低导通电阻帮助实现更平稳的电流控制。
    使用建议
    - 确保正确的栅极驱动电压以避免过高的静态功耗。
    - 设计时需考虑良好的散热措施,尤其是在高功率应用场合。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流封装标准SO-8完全兼容,便于集成到现有电路板设计中。
    - 可与其他同系列器件互换使用,提供灵活的设计选择。
    支持
    - 提供详尽的技术文档和技术支持服务。
    - 定期更新的产品升级方案,确保长期可用性。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查散热片安装是否正确,并增加风扇辅助散热。 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻至适当值,优化信号上升时间。 |

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 100V MOSFET凭借其卓越的性能、可靠的品质及广泛的应用范围,在各类电力电子应用中表现出色。对于追求高效能、高稳定性的工程师而言,它无疑是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能MOSFET的应用场景中。
    如需进一步了解或购买,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

QM0016S-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 9A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM0016S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM0016S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM0016S-VB QM0016S-VB数据手册

QM0016S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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