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K1507-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K1507-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1507-VB

K1507-VB概述

    K1507-VB Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K1507-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。其低导通电阻(RDS(on))和高雪崩能量能力使得它特别适合用于服务器、电信电源系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)。此外,K1507-VB 在工业应用中也表现出色。

    2. 技术参数


    - 最大耐压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):25°C 下典型值为0.4Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为24nC
    - 输入电容(Ciss):最大值为35pF
    - 输出电容(Coss):最大值为10pF
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2至4V
    - 连续漏极电流(ID):在100°C时为25A
    - 脉冲漏极电流(IDM):重复次数受限于最大结温
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    K1507-VB 功率 MOSFET 具有以下几个显著特点和优势:
    - 低导通电阻:显著减少传导损耗。
    - 低输入电容:减少开关损耗,提高效率。
    - 超低栅极电荷:加速开关速度,进一步减少功耗。
    - 高雪崩能量:增强可靠性,适应恶劣工作环境。
    - 宽工作温度范围:确保在极端环境下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    K1507-VB 主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应、功率因数校正电源、以及高强度放电灯和荧光灯的照明系统。为了最大化其性能,建议在使用时:
    - 确保良好的散热管理,以避免过热。
    - 使用合适的驱动电路,减少开关损耗。
    - 采用适当的 PCB 布局,降低寄生电感。

    5. 兼容性和支持


    K1507-VB 与标准 TO-220 封装兼容,便于安装和替换。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和故障排查文档,以及可靠的售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:在高温下是否会失去功能?
    - A: K1507-VB 能够在-55°C 至 +150°C 的温度范围内正常工作,但在高温下需注意散热问题,否则可能影响性能。

    - Q:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - A: 推荐使用 VGS=10V 作为最佳栅极驱动电压,这将确保 MOSFET 处于最佳工作状态。
    - Q:是否需要外加保护电路?
    - A: 为了防止浪涌电流和过压,建议添加合适的保护电路,例如瞬态电压抑制器(TVS)二极管。

    7. 总结和推荐


    K1507-VB 功率 MOSFET 凭借其卓越的电气特性和广泛的适用范围,非常适合各种高要求的应用场合。其低导通电阻和高雪崩能量能力使其成为电源管理和控制系统的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效能和高可靠性的场合。如果您对这款产品有任何疑问或需要技术支持,可随时联系我们的客户服务热线 400-655-8788 或访问我们的网站 www.VBsemi.com。

K1507-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1507-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1507-VB数据手册

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K1507-VB封装设计

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