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NTMS4101PR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8\n生产的单路功率型沟道型MOSFET,适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计,在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。
供应商型号: NTMS4101PR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTMS4101PR2G-VB

NTMS4101PR2G-VB概述

    NTMS4101PR2G P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMS4101PR2G 是一款高性能的 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高可靠性要求的应用设计。该产品主要用于便携式设备中的负载开关、电池开关和充电开关。MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点,适用于需要高效能控制的电路设计。

    2. 技术参数


    以下是 NTMS4101PR2G 的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 值 |

    | 栅极-源极电压范围 (VGS) | ±12 V |
    | 漏-源极电压 (VDS) | -20 V |
    | 连续漏极电流 (ID) | 19 A @ TC=25°C,12 A @ TC=70°C |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | -50 A |
    | 源-漏极二极管电流 (IS) | -6 A @ TC=25°C,-2.9 A @ TJ=150°C |
    | 最大功率耗散 (PD) | 19 W @ TC=25°C,12 W @ TC=70°C |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55°C 至 150°C |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.015 Ω @ VGS=-4.5 V,0.021 Ω @ VGS=-2.5 V,0.040 Ω @ VGS=-1.8 V |

    3. 产品特点和优势


    - Halogen-Free:符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤素标准。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,确保高效的电力转换。
    - 100% Rg Tested:每个产品都经过 100% 阻抗测试,保证可靠性。
    - 内置 ESD 保护:配备齐纳二极管,典型 ESD 性能达到 1800 V。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC 的规定。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMS4101PR2G 在便携式设备中的典型应用包括:
    - 负载开关:用于控制电路的开启和关闭,实现精准的电流管理。
    - 电池开关:实现高效可靠的电池管理,延长设备续航时间。
    - 充电开关:确保安全高效的充电过程,防止过载或短路。
    使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑散热需求,特别是在高功率操作条件下。
    - 使用适当的栅极驱动电阻以优化开关性能。
    - 对于长时间连续工作的应用,建议进行详细的热设计,以避免因过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMS4101PR2G 采用标准 SO-8 封装,易于与其他电子元器件集成,适用于多种电路板设计。
    - 支持和维护:VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的设计指南和技术文档,确保用户能够充分利用产品特性。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 适当降低开关频率,加强散热措施。 |
    | 开关过程中出现不稳定现象 | 检查电路连接是否正确,调整栅极驱动电阻。 |
    | 长时间工作后性能下降 | 进行热设计优化,提高散热效率。 |

    7. 总结和推荐


    NTMS4101PR2G 是一款高可靠性的 P-Channel MOSFET,具有优异的性能和广泛的适用性。它适用于多种便携式设备的负载开关、电池开关和充电开关。凭借其出色的电气特性和坚固的机械结构,推荐在高可靠性要求的应用中使用。如果您正在寻找一种高效能、低成本且易于集成的解决方案,NTMS4101PR2G 将是一个理想的选择。

NTMS4101PR2G-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 8A
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMS4101PR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTMS4101PR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTMS4101PR2G-VB NTMS4101PR2G-VB数据手册

NTMS4101PR2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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